本次项目之“先进制程湿法清洗设备研制项目”拟租赁无锡（国家）软件园办公场所实施。截至本报告发布日，该项目实施主体亚电智能已与无锡软件产业发展有限公司签署《租赁意向协议》，约定了租赁意向，明确该项目符合园区产业政策方向及环境保护等要求，不存在无法实施的实质性障碍。但若公司未能按计划租赁以上房产，可能会对该募投项目的实施产生不利影响。
1、项目概况
在全球半导体设备国产化趋势下，湿法清洗设备的前沿技术研发与底层创新是公司保持行业地位的核心驱动力。本项目以前沿技术研究与核心模块开发为重点，聚焦先进制程工艺的关键技术突破，以前端基础研究、算法开发及原型设计为核心，构建高精尖研发团队驱动的创新引擎，增强公司在湿法清洗设备领域的创新能力和行业地位，稳步提升公司的工艺水平及核心竞争力。本项目拟租赁无锡（国家）软件园的办公场所并进行必要装修实施。
江苏亚电科技股份有限公司现有核心技术的基础上，对先进制程湿法清洗设备及其核心模块进行研发试制，进一步增强公司的研发成果转化能力。本次“先进制程湿法清洗设备研制项目”则是基于公司的核心技术，结合无锡地区在半导体领域的产业集群和人才优势，以前沿技术研究与核心模块开发为重点，以前端基础研究、算法开发及原型设计为核心，构建高精尖研发团队驱动的创新引擎，增强公司在湿法清洗设备领域的创新能力和核心技术领先地位，稳步提升公司的工艺水平及核心竞争力。
2、项目投资概算
本项目预计投资人民币 8,244.57 万元，工程建设投资 2,028.30万元，信息化升级 2,306.00万元，项目预备费 70.27万元，人员投入 3,840.00万元。
3、项目实施进度安排
本项目预计建设工期为 3 年，包括项目规划，场地建设，人员招聘及培训，软件安装及调试
4、环境保护措施
本项目建成后主要进行研究、开发和设计等办公类工作，不涉及生产或试制，污染物主要为生活污水和生活垃圾，经排入污水处理厂处理和经垃圾分类后由环卫部门定期清运处理。本项目不存在工业废水、废气、废渣等，不会对环境产生重大不利影响，不属于《建设项目环境影响评价分类管理名录（2021年版）》规定的需要纳入建设项目环境影响评价管理的项目，无需取得环评批复。
5、相关程序履行情况
本项目已取得《江苏省投资项目备案证》（锡新数投备〔2025〕406号），已完成项目备案。本项目拟租赁无锡（国家）软件园的办公场所实施，不涉及新增用地的情形，实施主体亚电智能已与无锡软件产业发展有限公司签署《租赁意向协议》，约定了租赁意向，明确该项目符合园区产业政策方向及环境保护等要求，不存在无法实施的实质性障碍。
6、公司产品技术体系及技术特点
半导体清洗设备的开发需要全面掌握从核心部件设计、设备系统开发、工艺调试到清洗效果优化等各个环节的关键技术，涵盖机械、软件、材料、物理和化学等多个学科领域。整个过程涉及大量的参数优化和技术诀窍（knowhow），需要持续的技术投入和长期的经验积累才能实现。由于技术要求高且涉及多个学科领域的深度融合，因此具有较强的技术壁垒和较高的进入门槛。
基于“核心部件设计—设备系统开发—工艺段应用调试—应用效果优化”的完整业务链，公司构建了以最终清洗效果为导向的核心技术体系，涵盖部件及设备系统、工艺段应用、清洗效果实现等各环节，构成公司较高的技术壁垒。
在部件及设备系统方面，公司围绕机械与自动化、流场与高效清洗、晶圆先进干燥等系统形成核心技术，解决了晶片搬运、均匀清洗与刻蚀、无残留干燥等过程中的关键难题；在工艺段应用方面，公司针对高温磷酸、薄片清洗、8英寸碳化硅高兼容性清洗等特殊清洗工艺进行技术开发，提升了半导体工艺环节的覆盖度；在清洗效果实现方面，公司凭借在部件及设备系统、工艺段应用方面形成的核心技术，实现了较高的清洗能力、清洗效率及设备运行稳定性。公司核心技术体系图如下：
（1）部件及设备系统
半导体清洗设备主要由机械与自动化、流场与高效清洗、晶圆先进干燥等三大系统构成。各部件或系统以清洗效果为导向实施有机统一的技术研发，根据具体清洗工艺的要求，通过机械设计、软件算法、材料选型等方面的研发和创新，开发出相应的核心部件及设备系统，并通过工艺段应用调试进行效果反馈，对机械结构、算法参数等不断进行迭代优化，实现设备性能的不断提升。
以流场与高效清洗系统为例，根据不同清洗工艺刻蚀均匀性要求的应用反馈，公司基于高均匀性流场设计与控制技术，对槽体内部结构（厚度、尺寸、分布、镂空设计等）、药液喷管构造（直径、分布、方向等）、流场参数（流速、流量、压力等）进行不断优化，显著提升了槽体内药液流速的均匀性（如下图所示），从而实现了晶圆清洗与刻蚀的均匀性。
①机械与自动化系统
机械与自动化系统涵盖晶圆搬运系统、作业控制系统及清洗检测系统等核心组成部分，确保晶圆在清洗系统、干燥系统之间的高效、安全、无损转入与转出，核心技术指标包括设备产能和碎片率等，公司在该领域形成了高可靠性晶圆传输技术、智能作业任务统筹规划技术和高精度晶圆检测技术
②流场与高效清洗系统
流场与高效清洗系统由化学槽、冲洗槽（槽式清洗设备）或者旋转喷淋室（单片式清洗设备）等构成，用于实现对晶圆表面颗粒、金属、有机物等污染物进行清洗和刻蚀，核心技术指标包括颗粒去除能力、金属去除能力、均匀性等，公司在该领域形成了高均匀性流场设计与控制技术、单片清洗微场控制技术
③晶圆先进干燥系统
晶圆先进干燥系统根据不同类别晶圆制造清洗工艺，采用旋转干燥技术、IPA 干燥技术、马兰戈尼干燥技术、低压干燥技术、超临界 CO2 干燥技术等一种或多种技术组合，对清洗后的晶圆进行干燥处理，防止晶圆表面因水渍污染而氧化，保证晶圆的“干进干出”（Dry-In-Dry-Out）。由于材料的亲水性，化合物半导体的干燥难度通常高于硅基半导体。公司不仅掌握了行业内的主流干燥技术，还针对化合物半导体干燥效果不佳的行业难题形成了化合物半导体无水痕干燥技术
（2）工艺段应用
半导体清洗设备有效解决了半导体制造中因杂质引起的芯片性能劣化和良率下降等问题，广泛应用于晶片制备、前道晶圆加工、后道封装以及晶片回收等各个工序环节。根据工序的清洗难度和涉及制程的不同，半导体清洗设备应用工艺段可分为常规清洗工艺和特殊清洗工艺两大类别。
常规清洗工艺主要包括回收清洗、RCA 清洗、去胶清洗和最终清洗等。特殊清洗工艺主要包括高温磷酸清洗、薄片清洗、高温 SPM 清洗、背面清洗等，技术难度较高，部分工艺制程为当前设备国产化亟需突破解决的技术难题：高温磷酸工艺通常在 160 ℃左右进行，溶剂水挥发速度较快，对溶液浓度、刻蚀速率和选择比的控制要求较高；薄片清洗需要处理翘曲较大的晶圆，作业难度较大且碎片风险较高；高温 SPM 使用硫酸等清洗液，由于药液的粘稠性和易燃性，对设备材质和温度控制有较高要求；背面清洗通常采用伯努利卡盘技术，具有较高的技术难度。
在特殊清洗工艺方面，公司通过与客户多年的工艺磨合，形成了超薄片晶圆传输和清洗技术、高温磷酸清洗技术、8 英寸化合物半导体高兼容性清洗技术等核心技术
（3）清洗效果
实现半导体清洗设备的性能直接影响芯片的良率和生产效率，其性能主要通过清洗效果来衡量，包括清洗能力（如颗粒和金属去除能力、均匀性等）、清洗效率（如设备产能 Throughput 等）以及设备运行稳定性（如可用时间 Uptime、碎片率 Breakage 等）。公司依托在部件及设备系统、工艺段应用方面积累的核心技术，成功实现了较高的清洗能力、清洗效率和设备运行稳定性。
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