三星电子·SK海力士等主要内存公司的下一代HBM竞争的成败预计将在明年第一季度决出胜负，备受关注。据了解，大客户英伟达计划在此期间完成HBM4量产的最终质量测试。
据GDnet韩国8月25日报道，三星电子·SK海力士的目标是在明年第一季度之前完成英伟达HBM4的最终质量测试。
HBM 是下一代存储器，通过垂直堆叠多个 DRAM 来提高数据处理性能。以主要客户英伟达为例，计划在计划于明年下半年发布的下一代人工智能半导体“Rubin”系列中采用HBM4 12层产品。
与此相一致，英伟达目前正在向三星电子和SK海力士索取一些HBM4样品。两家公司都在积极增加HBM4生产的晶圆投入，以响应英伟达的订单。相关材料和零部件的订单也在积极进行中。
此外，英伟达计划在明年第一季度末正式结束HBM4的最终质量测试。 据了解，三星电子和SK海力士也正在按照时间表开发产品。
考虑到这一点，预计两家公司的HBM4业务成败大纲最快将在明年年初揭晓。这是因为在此期间测试了最完整的 HBM4 样品。
当然，由于每个公司的具体开发进度不同，实际时间表很有可能会发生变化，比如获得隐式提前认证。
首先，三星电子在HBM4上采用了1c（第6代10nm级）DRAM。SK海力士和美光基于1b（第5代10nm级）DRAM，这是一代人之前的事了。因此，很难提高良率和稳定性，但在性能方面可以获得优势地位。
三星电子用于 HBM（PRA;生产准备批准）预计将于今年第三季度末完成。三星电子一直在开发用于低功耗应用的 LPDDR、用于 HBM 的 1C DRAM 和服务器。今年年中，产能相对较小的LPDDR率先获得PRA。
如果内部量产审批如期进行，HBM样品生产有望获得动力。通常，半导体样品会根据完成程度经历WD（行走芯片）、ES和CS（客户样品）等阶段。之后，它经过风险生产，即试生产，并开始全面批量生产。
三星电子目前正在制备的样品被评估为 ES 阶段。然而，就三星电子而言，众所周知，目前每个采样阶段之间的区别是模棱两可的。
SK海力士的目标是在第四季度进入风险生产。由于它使用与现有HBM3E相同的1b DRAM，据称它正在显示出及时量产产品的内部信心。
一位半导体行业人士解释说，“据我了解，英伟达已经将HBM4资格测试的结束时间定在了明年第一季度，因为在供应链中包括尽可能多的HBM制造商是有利的，因为它现在并不急于供应HBM4。
