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中国台湾化合物半导体代表厂商汉磊先进投资控股在八月业绩说明会上披露，已启动新一轮产能倍增与技术深化计划，此举在半导体行业引发广泛关注，彰显其在市场竞争中谋求突破与发展的决心。
汉磊投控董事长黄民奇明确指出，该计划目标并非单纯扩大产能。公司期望通过深度垂直整合，为全球顶尖客户塑造一个兼具弹性、质量与成本优势的合作伙伴形象，成为非 IDM（整合元件制造厂）模式下的首选合作对象。
此次扩张计划的核心执行主体是旗下负责晶圆代工的汉磊半导体。目前，来自欧美日系 Tier - 1 汽车零组件大厂以及多家 AI 服务器电源供应商的订单需求强劲，特别是在电动车逆变器、车载充电器等关键应用领域。为满足这些订单需求，汉磊半导体正加速扩充 6 吋 SiC 晶圆的代工产能。
供应链消息证实，汉磊半导体计划在 2026 年上半年将 6 英寸 SiC 月产能提升至目前一倍以上，达到每月 5000 片晶圆规模。这一产能提升计划有助于汉磊投控更好地应对市场需求，巩固其在化合物半导体领域的市场地位。
同时，为顺应未来市场发展趋势，汉磊投控已同步投入资源开展 8 英寸 SiC MOSFET 的制程开发。随着未来 800V 以上高压平台逐步普及，市场对更低导通电阻芯片的需求持续增长，汉磊投控此举意在提前布局，抢占技术制高点。
综合来看，汉磊先进投资控股的这一轮产能倍增与技术深化计划，体现了其在化合物半导体领域的战略眼光与发展决心。若计划顺利实施，有望提升公司在全球半导体市场的竞争力，为其未来发展筑牢根基。
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