9月3日，SK海力士宣布，在存储器行业首次将量产的“High NA EUV”设备带到利川M16晶圆厂。
Hi NA EUV是下一代曝光设备，与现有EUV相比，分辨率大大提高，单位价格超过5000亿韩元。对于生产2纳米以下的系统半导体和10纳米以下的存储半导体至关重要。
SK海力士率先引进Hi-NA设备进行量产。此前，三星电子今年早些时候将Hi-NA设备带入韩国进行研究。
三星·SK连续引进尖端EUV设备，分析为应对日益增长的全球不确定性。
这是因为，作为韩国以外的主要存储器生产基地的中国工厂的风险增加，加强国内生产基地的技术能力并将其用作高科技DRAM前哨站的需求越来越大。
近日，美国商务部宣布，三星电子、SK海力士和台积电的中国工厂将从12月31日开始被排除在“验证最终用户”（VEU）计划之外。
2022年10月，美国政府禁止向中国进口尖端半导体设备，以阻止中国的半导体主导地位，但有资格获得VEU的公司除外，未经美国许可可以出口设备。
