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日本功率半导体困局，巨头集体溃败
当AI芯片在大模型浪潮中掀起资本狂欢，HBM的带宽竞赛愈演愈烈，先进制程与封装技术持续抢占头条时，曾被视为[能源革命核心引擎]的功率半导体，正悄然迎来全球产业格局的剧烈洗牌。
这场洗牌中，曾经手握技术霸权、占据全球半壁江山的日本功率半导体产业，正显露出前所未有的疲态。
扩产计划屡屡搁浅、巨头陷入亏损泥潭、全球市占率持续萎缩。
而另一边，中国企业凭借成本优势、技术突破与规模化产能，正以[黑马]之姿快速突围，逐步打破日本主导的旧秩序。
功率半导体不是光鲜的[流量明星]，却是支撑新能源汽车、光伏风电、智能电网的[工业基石]，其作用堪比[电子水龙头]，直接决定着电能转换效率与设备能耗。
对于能源进口依赖度超90%的日本而言，这一领域的优势曾是国家安全级别的战略资产；
而对于正在加速能源转型的中国来说，功率半导体的突破则是实现[双碳]目标的关键拼图。
如今，这场跨越国界的产业博弈，不仅关乎两家企业的生死，更重塑着全球半导体产业的未来走向。
回溯十年前，日本功率半导体产业堪称[全球标杆]。
三菱电机、富士电机、东芝、瑞萨、罗姆五大巨头牢牢占据全球市场前十的五个席位，凭借在IGBT、SiC等核心领域的技术积累，垄断了高端市场。
2021年Omdia数据显示，这五家企业合计市占率超20%，其中三菱电机以7%的份额稳居全球第四，东芝、富士电机紧随其后。
彼时的日本，不仅有企业的技术硬实力，更有政府的战略加持。
2023年5月，日本政府发布《半导体增长战略草案》，明确提出[2030年前将日本企业在全球功率半导体市占率从20%提升至40%]的野心，同时通过经济产业省（METI）推出专项补贴，支持企业扩产与技术研发。
当时的行业共识是，随着新能源汽车、光伏产业的爆发，功率半导体需求将持续增长，而掌握核心技术的日本，理应成为最大受益者。
然而短短三年，现实便给了日本巨头们一记重击。2024年全球功率半导体市场TOP10榜单上，日本厂商仅剩三席，且每家的全球市占率均不足5%；
曾经雄心勃勃的扩产计划，要么缩水，要么推迟，甚至彻底搁置。
这场[集体退守]，并非偶然，而是日本产业痼疾与外部竞争压力共同作用的结果。
以罗姆为例，这家曾计划三年内投入2800亿日元研发SiC半导体的企业，2025财年（截至2025年3月）录得500亿日元净亏损，这是其12年来首次全年亏损。
即便在2025财年第一季度，净利润虽实现29亿日元，却同比下降14%，营业利润更是暴跌84.6%至1.95亿日元。
罗姆不得不将SiC投资缩减至1500亿日元，资本支出同比下降36%，连宫崎县新工厂的SiC量产计划也被迫放缓。
瑞萨电子的处境更为惨淡。2025年上半年，公司净亏损高达1753亿日元，创下同期历史最高亏损纪录；
6月，瑞萨正式宣布放弃进入SiC市场，成为日本五大巨头中首个退出该赛道的企业。
这一决定背后，是双重打击：一方面，其核心SiC衬底供应商、美国Wolfspeed因资金链断裂濒临破产，导致瑞萨提前支付的20亿美元预付款[打水漂]，原材料供应彻底中断；
另一方面，日本本土电动汽车普及速度远不及中国与欧洲，瑞萨押注的电动车带动SiC需求逻辑彻底落空，工厂产能利用率一度跌至30%，不得不裁员1050人以削减成本。
三菱电机曾计划5年内投资1000亿日元建设8英寸SiC工厂，将产能提升至2022年的5倍。
如今不仅熊本县新工厂投产时间推迟，原定2026-2030财年的3000亿日元投资也陷入缩减考量；
富士电机2025财年净利预计同比下降12.2%，电动车用功率半导体订单锐减，半导体设备营益暴跌42%；
东芝与罗姆的强强联合更是沦为笑谈。
2023年罗姆斥资3000亿日元参与东芝私有化，计划在研发、生产、销售全链条合作，如今却因技术保密与战略分歧。
除了一个共同制造项目外，其余合作全部陷入停滞，知情人士透露，罗姆已[放弃寻求更深层次合作]。
最具象征意义的是JS Foundry的破产，这家由日本政策投资银行牵头成立、被寄予老旧工厂转型典范厚望的功率半导体晶圆代工厂，成立仅两年半便因161亿日元债务压顶申请破产。
其CEO酒井明彦的坦言道破了日本企业的集体困境：[我们曾坚信自己在功率半导体领域仍处于全球领先地位，从未想过中国技术会追得这么快。]
当中国企业以1.8万日元/片的价格报价时，JS Foundry的6英寸晶圆成本高达4万日元，且产能效率远不及中国的8英寸产线，最终在无订单、无资金、无技术优势的三重打击下轰然倒塌。
内部痼疾难破，外部冲击加剧
日本功率半导体的褪色，并非单一企业的经营失误，而是产业生态的系统性危机。
从内部看，日本企业长期深陷各自为战的泥潭，难以形成协同效应；
从外部看，中国企业的崛起与全球市场需求的变化，正不断压缩日本的生存空间。
日本功率半导体产业的最大短板，在于碎片化。
五大巨头市场份额接近，各有技术壁垒，却缺乏一个能主导整合的龙头企业。
这种格局的形成，源于日本企业对专有技术的极致保护。
这种技术保密文化直接导致企业间合作困难重重。
以罗姆与东芝的合作为例，罗姆擅长电动汽车芯片，东芝在工业领域有优势，本可形成互补，但在研发数据共享、产能调配等核心问题上，双方始终无法达成一致。
罗姆担心工业领域技术被东芝借鉴，东芝则顾虑汽车芯片的客户资源流失。
最终，这场被市场寄予厚望的合作，沦为仅停留在纸面上的共同制造。
更关键的是，日本企业的战略差异进一步加剧了整合难度。
罗姆从收音机电阻器制造商起家，长期专注于[小而精]的元件领域；
而东芝、三菱电机隶属于大型电子或汽车集团，业务覆盖从芯片到家电、汽车的全链条，两者的战略重心截然不同。
罗姆希望集中资源突破SiC技术，东芝则更看重功率半导体与自身工业设备的协同。
日本并非没有意识到问题。2024年，METI曾组织专项小组委员会，提出[通过设计与制造流程整合培育竞争力]的政策，并承诺为富士电机-电装联盟提供705亿日元补贴，为罗姆-东芝合作提供1294亿日元支持。
但相较于对台积电日本工厂、本土初创企业Rapidus的万亿日元级投入，功率半导体的补贴堪称[杯水车薪]；
更重要的是，政府的干预未能打破企业间的信任壁垒，最终沦为象征性支持。
如果说内部整合难是[慢性病]，那么中国企业的崛起则是[急性冲击]。
短短五年间，中国功率半导体企业不仅在中低端市场实现替代，更在高端SiC、GaN领域快速追赶，直接动摇了日本的技术霸权。
中国企业的第一个优势是成本控制。功率半导体的核心原材料是衬底，而衬底制造的能源成本占比高达30%-40%。
中国凭借丰富的水电、光伏资源，能源成本仅为日本的1/3-1/2；同时中国企业通过规模化生产进一步摊薄成本。
天科合达在深圳基地的SiC衬底年产能达25万片，天岳先进更是实现8英寸衬底量产，单片晶圆芯片产出量比日本的6英寸产线提升40%以上。
在SiC衬底市场，中国企业的报价比日本低30%-50%，迫使日本企业陷入[不降价丢订单，降价丢利润]的两难。
中国企业的第二个优势是市场响应速度。
作为全球最大的新能源汽车市场，中国2024年电动汽车销量占全球60%以上，这为本土功率半导体企业提供了天然试验场。
天科合达、天岳先进通过与比亚迪、蔚来等车企深度合作，快速收集客户数据，迭代产品性能；
而日本企业则因本土电动汽车普及缓慢，2024年日本电动车渗透率不足10%，产品迭代周期比中国长6-12个月。
更关键的是，中国企业采用分工协作模式，将衬底制造、芯片设计、封装测试拆分给专业厂商，效率远高于日本企业的[垂直整合（IDM）]模式。
日本企业需内部协调从晶体生长到封装的全流程，而中国企业可集中资源突破核心环节。
例如英诺赛科专注于8英寸GaN晶圆制造，士兰微聚焦IGBT芯片设计，最终形成各环节高效协同的产业生态。
从全球视角看，功率半导体产业的竞争不仅是企业间的较量，更是国家能源战略的博弈。
随着[双碳]目标的推进，功率半导体的需求将持续增长，预计2029年全球市场规模将突破600亿美元。
在这场竞争中，日本若能实现产业整合，仍有望凭借技术积累守住高端市场；中国若能持续突破核心技术，将进一步扩大市场份额，甚至主导全球产业标准。
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