氮化镓和碳化硅，重磅宣布

全球碳化硅 (SiC) 技术领导者 Wolfspeed今日宣布其 200 毫米 SiC 材料产品正式商业化上市，这标志着公司加速行业从硅向碳化硅转型的使命中的一个重要里程碑。Wolfspeed 最初向部分客户提供 200 毫米 SiC 产品，由于市场反响积极，且产品优势显著，因此决定将其商业化上市。Wolfspeed 还提供 200 毫米 SiC 外延片，可立即进行认证。该外延片与公司现有的 200 毫米裸晶圆配合使用，可实现突破性的可扩展性和更优的质量，从而助力下一代高性能功率器件的研发。

首席商务官 Cengiz Balkas 博士表示：“Wolfspeed 的 200 毫米碳化硅晶圆不仅仅是晶圆直径的扩展，它代表着一项材料创新，使我们的客户能够满怀信心地加速其器件路线图的开发。通过规模化交付高质量产品，Wolfspeed 助力电力电子制造商满足对更高性能、更高效的碳化硅解决方案日益增长的需求。”

200mm SiC 裸晶圆（厚度 350µm）的参数规格有所改进，200mm 外延工艺的掺杂和厚度均匀性也达到了业界领先水平，这些改进使器件制造商能够提高 MOSFET 良率，加快产品上市时间，并在汽车、可再生能源、工业和其他高增长应用领域提供更具竞争力的解决方案。200mm SiC 的这些产品和性能改进，也可以应用于我们对 150mm SiC 材料产品的持续学习。

Balkas 表示：“这一进展体现了 Wolfspeed 长期以来致力于突破碳化硅材料技术界限的承诺。此次发布彰显了我们预测客户需求、根据需求扩展规模以及提供材料基础的能力，从而助力未来实现更高效的电力转换。”

8英寸半导体代工企业DB HiTek已完成可最大限度提高功率效率的下一代功率半导体工艺的开发，并已开始商业化。该工艺预计将应用于人工智能数据中心和机器人市场，在这些市场中，功率效率的提高将直接降低成本并延长运行时间。

DB HiTek 9 月 11 日宣布，已完成下一代功率半导体工艺“650V 增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（E-Mode GaN HEMT）”的开发，并将于下月底提供测试生产晶圆（多项目晶圆，MPW）。

完成这一工艺的关键在于一种名为氮化镓（GaN）的新材料。功率半导体是将输入电流转换为与系统匹配并稳定控制的元件。在耗电量巨大的人工智能数据中心或需要精确功率控制的机器人等领域，半导体的功率效率直接关系到性能竞争力。由于硅半导体在电转换过程中会以热量的形式损失大量能量，因此在提高效率方面存在很大局限性。

DB HiTek 开发的 650V GaN 工艺被认为是解决这一问题的替代方案。GaN 的功率损耗远低于硅，因此有利于生产高效超小型产品。AI 数据中心的功耗更低，从而降低了运营成本。机器人可以延长运行时间。

DB HiTek 预计，获得 GaN 工艺将与其现有的主营业务双极-CMOS-DMOS (BCDMOS) 产生协同效应。BCDMOS 是一种集模拟、数字和高功率电路于一体的半导体。DB HiTek 的一位高管表示：“基于我们在硅功率半导体领域积累的世界一流技术，我们正在将产品线扩展到 GaN 和碳化硅 (SiC) 等化合物半导体。” 他补充道：“我们的目标是成为未来高增长领域的关键供应商。”

市场前景也一片光明。据市场调研公司Yole Développement预测，GaN市场规模预计将以年均约40%的速度快速增长，从2025年的5.3亿美元（约7400亿韩元）增长至2029年的20.13亿美元（约2.8万亿韩元）。为了应对日益增长的需求，DB HiTek也在扩大产能。该公司计划通过扩建位于忠川北道阴城郡上宇园区的洁净室，将月产量从目前的15.4万片晶圆提升至约19万片晶圆，增幅约为23%。

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