10月20日，苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“东微半导体”）官微消息，其与苏州晶湛半导体有限公司（以下简称“晶湛半导体”）双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。
资料显示，东微半导体成立于2008年，产品覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET等，已广泛应用于新能源汽车充电桩、5G基站电源、数据中心和算力服务器电源等领域，与12英寸氮化镓的潜力应用市场重合。
晶湛半导体成立于2012年，致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案。2013年，晶湛在苏州纳米城建设了一条国际先进的GaN外延材料生产线。2014年底，率先在全球发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，是国内GaN材料研发和产业化的头部企业，也是目前国际上可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商。
当前，氮化镓作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、数据中心、人形机器人、光伏储能等高端领域的需求呈爆发式增长，但12英寸硅基GaN功率器件的规模化应用仍面临技术瓶颈。受制于晶格失配与热失配难题，大尺寸晶圆需通过复杂缓冲层设计平衡性能与良率，导致成本居高不下，全球仅有英飞凌等少数企业实现技术突破。
在此背景下，东微半导体与晶湛半导体采用主流的12英寸CMOS实验线研发12英寸硅基氮化镓HEMT晶体管，共同推进12英寸硅基氮化镓功率器件的产业化进程。据东微半导体介绍，此项产业技术的成功开发，不仅可以大幅降低制造成本，而且可以利用12英寸先进的前后道工艺的技术，充分挖掘氮化镓材料在高能效、高功率密度方面的潜力，使这一技术为上述应用领域提供更具成本效益和性能优势的解决方案。
此外，双方合作项目将分阶段推进。初期目标：专注于基础外延工艺和器件结构工艺平台的搭建与优化；中期目标：在特定应用领域推出原型产品；长期目标：双方希望建立起完整的12英寸氮化镓技术生态系统，包括材料、设计、制造、封测和应用等全产业链环节。
氮化镓产业协同加速
东微半导体与晶湛半导体的合作并非个例，近期国内氮化镓产业技术协同与跨域合作不断。
● 2025年7月29日，英诺赛科与联合汽车电子在联合电子苏州研发中心举行了联合实验室揭幕仪式。
双方将利用氮化镓（GaN）技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。联合汽车电子在汽车电子领域深耕多年，英诺赛科是氮化镓工艺创新和功率器件制造领域的全球领导者，双方合作中英诺赛科将发挥其在GaN领域的技术专长，联合电子则凭借其在汽车电子系统方面的专业能力，共同致力于为新能源汽车打造更小巧、更轻便的电源和驱动系统，推动新能源汽车电力电子系统的未来发展。
● 2025年3月31日，意法半导体与英诺赛科共同宣布签署了《氮化镓技术开发与制造协议》。
双方将基于该协议充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案性能和供应链韧性。根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域的广泛应用。此外，英诺赛科可使用意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可利用英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。
● 2024年4 月18日，广东芯赛威科技有限公司与能华科技发展有限公司成功签署了战略合作协议。
芯赛威是一家专注于模拟和传感器SoC芯片的半导体供应商，深耕电源管理芯片领域多年。能华科技是一家专注于第三代半导体GaN的高新技术企业。双方的合作主要以电源驱动芯片和氮化镓（GaN）器件技术为基础，为客户提供更加小型化、高功率密度、高性价比的新一代电源管理方案。
