【化合物半导体】国产氮化镓厂商英诺赛科为何能够赢得国际半导体巨头青睐？

2025年，英诺赛科相继与意法半导体达成跨境产能双向共享合作、与安森美达成供应链的优势互补合作，近日又与联合动力共同宣布完成了6.6kW GaN OBC系统在长安汽车顺利装车，这一系列动作，标志着英诺赛科进一步巩固了全球功率GaN市场的领头羊地位。

全球功率GaN主要玩家的市场份额

根据Yole Group的报告Power GaN 2025 Report（链接见文末），英诺赛科占据了全球氮化镓功率半导体市场约30%的份额，是功率GaN器件的全球最大玩家，也是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，2025年更成为英伟达800V数据中心电源架构中唯一的中国芯片供应商。 

一、英诺赛科的低成本优势

英诺赛科在功率GaN领域的成功依赖于其低成本优势，这建立在三大支柱之上：8英寸晶圆量产能力、高良品率及低成本优势。 

• 与6英寸晶圆相比，8英寸硅基氮化镓晶圆具有更多的有效面积，使每片晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%

• 整体生产良率超过95%，业内领先水平

• 工艺优化导致物料损耗率持续降低、能源利用率持续增加，进一步降低成本

功率GaN最主要的应用市场是消费电子，英诺赛科的综合成本优势，在价格敏感的消费电子市场尤为关键。 

产能方面，截止2025上半年，英诺赛科珠海和苏州两座生产基地的月产能已达1.3万片晶圆。目前英诺赛科处于产能爬坡的中期阶段，2025上半年实现了毛利率由负转正的里程碑，其商业模式得到初步验证。

英诺赛科8英寸产线光刻及图形化检测工艺步骤实拍

技术方面，英诺赛科董事长骆薇薇博士曾表示，短期内仍会集中致力于8英寸平台的规模效应和成本优势；但其主要竞争对手英飞凌，已完成了12英寸GaN晶圆的实验室研发，正在进行客户验证和量产准备。目前12英寸GaN商业化的主要制约因素，是MOCVD设备及工艺。

二、全球GaN功率芯片的应用需求爆发

根据Yole Group报告，功率氮化镓市场即将以42%的年复合增长率爆发，到2030年市场规模将达到30亿美元。这一增长由三大应用领域驱动。

1. 消费电子：市场基石 

消费电子是GaN技术普及的先行者。从快充设备到家电电源管理，GaN器件凭借其高效率、小体积优势迅速取代传统硅基解决方案。Yole预计到2030年，消费和移动领域将占据功率GaN市场50%以上的份额。

2. 数据中心与电信：高端增长极 

AI计算与数据流量的爆发性增长正推动数据中心电力架构升级。Yole预测，到2030年，数据中心和电信基础设施将占GaN市场13%的份额，营收约4亿美元。 

英诺赛科与英伟达的合作专注于800V高压直流电源系统，英诺赛科的第三代GaN器件提供了决定性优势：

• 在800V输入侧：与SiC相比，英诺赛科GaN在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%。

• 在54V输出侧：仅需16个英诺GaN器件即可达到使用32个Si MOSFET才能实现的导通损耗，从而使功率密度翻倍，并降低90%的驱动损耗。

• 与现有机架架构中的Si FETs相比：采用GaN的800 VDC低压功率转换级可实现开关损耗降低70%，并在相同体积内将功率输出提升40%（提高功率密度）。

• 可扩展性与成本：基于GaN的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号，并具有改进的动态响应，同时还能降低板载电容成本。

3. 新能源汽车：最快增长点 

尽管电动汽车市场短期出现需求放缓，但GaN在车载充电器、DC-DC转换器和激光雷达系统中的渗透率持续提升。Yole预计2024年至2030年间，电动汽车将以约90%的年复合增长率扩张，到2030年占据约19%的市场份额。 

三、国际合作背后的战略逻辑

意法半导体、安森美等国际巨头与英诺赛科的合作并非偶然，而是基于明确的战略互补需求。

意法半导体作为英诺赛科港股上市的基石投资者，认购了金额为5000万美元的股份。这一投资不仅是对英诺赛科技术实力的认可，也是意法半导体布局第三代半导体供应链的战略举措。

意法半导体与英诺赛科的合作协议，一方面包含技术共同开发，英诺赛科的核心优势在于8英寸硅基氮化镓晶圆的大规模量产能力，其95%的良率和成本控制能力行业领先。而意法半导体的价值在于其数十年积累的车规级芯片认证经验和高压模块设计能力。一个具体的技术成果是双方联合推出的VIPerGaN50W集成反激式电源器件，该器件采用了英诺赛科的700V GaN晶圆，实现了30mW以下的空载功耗，远超传统硅基方案。

协议的另一方面是共享跨境制造产能。这意味着英诺赛科可以使用意法半导体在中国以外地区（如意大利、新加坡）的晶圆厂产能，快速提升对欧美市场的供应能力，有效突破地缘政治可能带来的供应链壁垒。反之，意法半导体也能利用英诺赛科在珠海的8英寸氮化镓专用产线，显著降低其消费电子等类别器件的制造成本，估算可节约20%以上。这种模式构建了一个极具韧性的“本土研发+全球制造供应”的合作网络。

而安森美与英诺赛科的深度合作则聚焦于40-200V中低压功率器件领域，这一电压范围覆盖了工业电机驱动、车载DC-DC转换器、AI数据中心中间总线转换器等快速增长的市场，避开了与意法半导体合作中涉及的高压车规级应用，体现了优势互补、快速抢占市场的差异化策略。

英诺赛科扮演制造专家的角色，提供基于其成熟的200mm（8英寸）晶圆平台的产能。安森美则发挥其作为系统解决方案供应商的优势，专注于驱动器设计、系统集成与先进封装。这种结合旨在快速推出“更小巧、更高效”的解决方案，并通过优化封装和减少元器件数量来降低整体系统成本。

安森美企业战略副总裁明确表示，目标是利用“业内最大规模的氮化镓生产产能”，快速扩大面向全球客户的产品供应。该合作计划在2026年上半年开始提供样品，节奏非常快。

这些合作标志着全球GaN产业生态正在重构，中国企业在其中扮演着越来越重要的角色。国际巨头需要借助中国企业的制造产能和成本优势，而英诺赛科则可通过合作获取全球客户资源，实现从消费电子向高端市场的跨越。 

四、结语

国内的化合物半导体行业，目前仍以SiC为主，由于新能源汽车市场增速放缓，导致供过于求，目前整个行业陷入价格战困境。笔者与SiC衬底头部公司某高管交流，得知行业预期普遍偏悲观，目前处于激烈的淘汰期，大部分SiC材料公司已零利率运营，预计2027年之前能完成淘汰洗牌期。 

英诺赛科在国际市场的成功，主要依赖于其技术领先性、IDM模式带来的成本、供应链与交付周期的优势，以及前瞻性的专利布局。这为国内的化合物半导体企业树立了良好的行业标杆，国产半导体企业应聚焦于核心技术突破、构建系统体系，来造出硬核的护城河壁垒，而非单纯吃政策扶持做产能扩张，然后比拼价格卷死同行。

参考资料：

Power GaN 2025 Report报告链接：

https://www.yolegroup.com/strategy-insights/the-power-gan-race-market-growth-consolidation-and-new-entrants/