新品 | 第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管

英飞凌工业半导体 2026-01-15 17:04

新品

第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5

双通道晶体管

新品 | 第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管图1


第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管将半桥功率级集成于小型6×8mm QFN-32封装中,该功率级由两个导通电阻典型值140mΩ、耐压650V的增强型CoolGaN™晶体管组成。


该产品凭借CoolGaN™晶体管卓越的开关特性,非常适合用于实现AC-DC充电器与适配器的高功率密度设计,以及低功率电机驱动和照明应用。


产品型号:

 IGI65D1414A3MS

新品 | 第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管图2


产品特性


超快开关特性

无反向恢复电荷

具备反向导通能力

低栅极电荷

低输出电荷

开尔文源极连接


应用价值


相较于单管方案器件数量减少50%

降低系统成本

减轻整体重量

降低系统复杂度


竞争优势


性能更优于单管方案

集成化设计消除了开关管间的寄生电感,实现无缝开关并提升压摆率

更低的栅极电荷与输出电荷,有效降低整体开关损耗

卓越的反向导通能力,显著增强系统运行灵活性


应用领域


USB-C适配器与充电器

低功率电机驱动

LED照明应用


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