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9月11日，台积电宣布重大业务调整，涉及退出特定业务、晶圆厂整合及技术转型，这不仅关乎自身发展，也将影响半导体行业格局。
公司不仅要在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务、关闭中国台湾新竹科学园区6英寸Fab 2晶圆厂，还计划整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8），并将最多30%的员工重新部署至南部科学园区（STSP）和高雄的工厂。
台积电将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务，关闭中国台湾新竹科学园区6英寸Fab 2晶圆厂。当下，第三代半导体市场竞争激烈，中国大陆企业价格竞争白热化，瑞萨电子与Polar半导体合作开发下一代d型GaN，德州仪器和英飞凌等全球IDM厂商也在扩大内部GaN产能。台积电认为继续投入GaN业务回报有限，故选择退出，将资源集中到更具优势的领域。
台积电计划整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8），并将最多30%员工重新部署至南部科学园区（STSP）和高雄工厂。此举旨在弥补劳动力短缺、降低成本、优化资产利用率，通过合理调配人力资源和整合晶圆厂，提高生产效率，减少重复建设和运营成本。
6英寸厂转型先进封装
台积电将6英寸工厂改造成CoPoS面板级封装工厂。随着芯片性能提升，对封装技术要求更高，CoPoS先进封装技术能提供更高集成度和更好电气性能，满足新一代芯片需求，助力台积电拓展先进封装业务。
8英寸厂发力EUV保护膜研发
EUV光刻技术是开启新工艺节点的关键，但成本高昂，ASML EUV光刻机价格约1.5亿美元，最新ASML High NA系统超3.5亿美元。台积电已减少High NA订单，积极探索提高EUV良率和控制成本的方法，保护膜技术成为关键。
EUV需新掩模版和保护膜方法，传统有机保护膜缺乏透明度和稳定性，多数晶圆厂无奈弃用，导致掩模版维修更换成本高、生产速度慢。ASML等公司研发保护膜受技术壁垒限制，难以大规模应用。台积电认为保护膜对7nm以下工艺至关重要，加快内部研发，将新竹科学园区8英寸Fab 3晶圆厂打造为内部EUV保护膜研发中心，以减少对ASML及其供应链的依赖，提高良率和成本效益。
台积电转型面临挑战，保护膜专利问题未解决，可能带来法律风险，且转型需大量资金和技术投入，可能影响现有生产和质量。不过，机遇也十分显著。分析师称，台积电自有保护膜将优化流程、提高良率、扩大产能、降低成本，提升盈利能力和领先地位。随着向2nm以下工艺迈进和扩展CoWoS封装技术，转型还将为设备和材料供应商带来新机遇，推动半导体产业链发展。
台积电此次业务调整是应对市场变化和行业趋势的重要举措，有望巩固其领先地位，引发行业连锁反应，推动行业向更高水平发展。
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