台积电开拓新业务

台积电正在将其位于新竹科学园区的已停产的旧8英寸晶圆厂3号晶圆厂重新利用，用于生产极紫外光防护薄膜（extreme ultraviolet pellicles），并将该生产流程移至内部。

极紫外光防护薄膜是一种高度透明的薄膜，覆盖在光掩模上方，用于防止在极紫外光曝光期间颗粒接触光掩模。其设计旨在承受强烈的极紫外辐射和热应力，同时最大限度地减少光吸收和波前畸变。生产防护薄膜可以缩短更换周期，并更好地控制组件。在极紫外光环境下，组件必须保护光掩模免受颗粒物的影响，同时还要应对极端的曝光条件。

与传统的深紫外 (DUV) 工艺不同，EUV 系统采用 400 W 光源，局部加热温度最高可达 1,000°C，这增加了污染风险，并使防护薄膜的性能对晶圆良率的影响更大。

防护薄膜的经济性促使人们采取不同的方法。深紫外光防护薄膜价格相对低廉，约为 600 美元，这使得其在早期节点中得到广泛应用。然而，EUV 变体的定价已接近 30,000 美元，这一大幅上涨阻碍了一些芯片制造商的全面部署，并可能导致了已记录的产量差距。

通过内部化生产，台积电希望实现更低的单位成本和更可预测的供应，从而使薄膜集成能够大规模实现。这一财务案例与材料研究密切相关：碳纳米管膜是满足耐用性和光学透明度双重要求的最有希望的候选材料。膜必须能够抵抗强光源加速的降解，同时最大限度地减少会降低曝光效率的吸收。台积电计划在 N2 和 A16 工艺技术发展的同时验证解决方案，在这些工艺技术中，薄膜性能的提升可以显著提高产量并保持其在先进节点上的优势。

三星电子早在几年前已获得一家生产半导体生产所用薄膜的韩国公司的股份。

当时，韩国企业FST表示，已发行152万股股票供三星认购。这家韩国科技巨头将获得该公司6.9%的股份，成为继FST董事长张明植和CM Technology之后的第三大股东。

FST生产用于在半导体生产过程中保护掩模版免受灰尘侵害的防护膜，以及用于控制处理室温度的冷却器。两项业务约占其销售额的一半。

该公司当时正在开发用于极紫外（EUV）光刻技术的防护薄膜，目标是推出一款全尺寸EUV防护薄膜，该防护薄膜以碳化硅为基础，厚度为30纳米，透光率为90%。

一个礼拜之前，有消息指出，FST 正在与三星就其将向这家韩国芯片制造商供应的极紫外 (EUV) 薄膜的价格进行谈判。

消息人士称，先进芯片所用商品价格的波动意味着 FST 已非常接近开始供应防护膜。

他们表示，三星计划于明年初开始代工生产 2 纳米芯片，因此该防护膜很可能在年内开始供应。

这家韩国科技巨头计划在 EUV 的某些核心工艺中使用这些防护薄膜。

EUV 光罩比深紫外 (DUV) 工艺中使用的光罩贵几十倍。

FST和三星正在商讨低于5000万韩元的单价。相比之下，DUV光罩的单价约为100万韩元。

FST 的原型机正在接受三星的测试，除了一些颗粒问题外，其在透光率、均匀性、热阻和氢等离子体耐久性方面均符合三星的要求。消息人士称，FST 预计将很快解决框架颗粒问题。

防护膜是一种用于在晶圆制造过程中保护光掩模的超薄薄膜。当芯片图案印制在晶圆上时，它们可以保护光掩模免受颗粒和杂质的侵蚀。 

多年来，三星一直在使用晶圆厂设备制造商 ASML 的 EUV 设备，但迄今为止尚未使用过防护薄膜。

EUV 掩模版价格昂贵，因此如果使用不带防护膜的掩模版，三星就必须将其扔掉，或者在它们被不需要的颗粒污染时进行清洁。

FST 的 EUV 薄膜在其外表面附着一层碳纳米管 (CNT) 膜，并额外添加了一层涂层以抵御氢等离子体。CNT 膜用于阻挡灰尘沉积，同时允许光线穿透。FST 还采用了其自主研发的涂层技术来保护 CNT 膜免于降解。FST 使用的 CNT 膜合成设备由芬兰的 Canatu 公司提供。 

同时，三星还有望在未来的芯片中使用 FST 薄膜应用于High NA EUV 设备。

更早之前，三星收购了多家与半导体生产相关的公司的股份。它向空白掩模和防护薄膜制造商S&S Tech投资659亿韩元，向前端检测设备制造商YIK投资473亿韩元，向清洁器和CMP浆料制造商KCTech投资207亿韩元，向陶瓷元件制造商Mico Ceramics投资216亿韩元，向真空设备制造商LOT Vacuum投资189亿韩元，向远程等离子发生器New Power Plasma投资127亿韩元。

三星持有多家供应商的股份，包括 A-Tech Solution（15.9%）、Wonik IPS（3.8%）、Wonik Holdings（2.3%）、Dongjin Semichem（4.85%）和 Soulbrain Holdings（4.8%）。

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