9月11日，全球半导体制造龙头台积电（TSMC）正式确认：将在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，并关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂。与此同时，公司将整合其在新竹的三座8英寸晶圆厂——Fab 3、Fab 5与Fab 8，并将最多30%的相关员工重新部署至南部科学园区（STSP）及高雄工厂，以应对人力短缺、优化成本结构并提升资产利用率。
这一系列动作标志着台积电在成熟制程与先进技术研发之间，正进行一场深远的战略重构。
老厂新用：从GaN代工到EUV“护膜”自研
据半导体设备制造商透露，台积电已为老旧晶圆厂制定明确转型路径：
6英寸Fab 2：停止GaN等功率器件生产后，预计将改建为CoPoS（Chip-on-Polymer Substrate）面板级封装工厂，服务于AI芯片、HPC（高性能计算）所需的先进封装需求。
8英寸晶圆厂群：其中，Fab 3将成为最关键的技术枢纽——启动EUV掩模保护膜（EUV Pellicle）的内部研发与试产，以减少对ASML及其供应链的依赖。
此举意义重大。当前，EUV光刻是7nm以下先进制程的核心技术，而ASML的EUV光刻机单台售价约1.5亿美元，最新High-NA EUV系统更超过3.5亿美元。然而，由于缺乏稳定、高透光率的保护膜，大多数晶圆厂在EUV制程中仍采用“无膜”运行模式，导致光罩频繁污染、需停机检测与更换，严重影响良率与生产效率。
台积电经过多年技术积累，已将EUV保护膜视为提升先进制程良率与成本效益的关键突破口。此次在Fab 3启动自研自产，不仅有望打破外部技术垄断，更将进一步巩固其在2nm及以下节点的领先优势。
战略收缩，早有端倪
台积电退出GaN代工的决定，早有端倪。2025年7月，美国氮化镓芯片厂商纳微半导体（Navitas）向美国证券交易委员会（SEC）提交文件并发布公告，确认其目前唯一的GaN晶圆供应商——台积电，计划于2027年7月停止相关产品生产。
尽管台积电曾在2020年与意法半导体、纳微等合作推进GaN制程开发，并在2023年占据全球GaN晶圆代工约40%的市场份额，但近年来，随着中国大陆厂商加速布局8英寸GaN产线，凭借成本优势掀起激烈价格竞争，GaN代工业务的利润空间被大幅压缩。
消息人士指出，台积电GaN产线月产能仅3000~4000片6英寸晶圆，营收贡献有限，难以匹配其高运营成本与战略优先级。相比之下，将资源集中于先进制程、CoWoS封装与EUV核心技术自主化，更能发挥其技术壁垒与规模优势。
此外，台积电自2025年初已启动旧厂精简计划，向世界先进（VIS）与恩智浦（NXP）在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万至7300万美元的设备，进一步推动产能整合。
