突发，英伟达叫停SOCAMM

NVIDIA 修改了其推出低功耗 DRAM (LPDDR) 模块 SOCAMM 的计划，该模块被称为“第二代高带宽内存 (HBM)”。该公司已放弃 SOCAM1 项目，决定推出 SOCAM2，并已开始与三家内存制造商进行测试。美光公司在 SOCAM1 方面占据竞争优势，但三星电子和 SK 海力士被认为有机会弥补这一差距。

据业内人士 14 日报道，NVIDIA 已开始与三星电子、SK 海力士和美光公司进行 SOCAMM2 样品测试。在准备将强调低功耗的 SOCAM1 应用于 AI 服务器时，由于出现了技术问题，NVIDIA 不得不采用新的 SOCAMM2 标准。

一位知情人士表示：“NVIDIA 最初计划在年内推出 SOCAMM1，但由于技术问题导致项目两次搁置，未能获得实际的大规模订单。”该知情人士补充道：“现在任务已经转移到SOCAM2，三家内存制造商目前正在响应样品测试。”

SOCAM是NVIDIA正在推进的AI专用内存模块标准。它旨在以比高带宽内存（HBM）更低的成本和功耗提供高容量内存。

SOCAM采用低功耗DRAM LPDDR。据报道，它的功耗比基于DRAM的标准服务器内存模块RDIMM低三分之一。

从技术上讲，SOCAM 2拥有与SOCAM 1相同的694个输入/输出（I/O）端口，但其数据传输速度高达9,600 MT/s，高于SOCAM 1的8,533 MT/s（美光）。此外，据报道，该公司正在考虑采用下一代低功耗内存LPDDR6。

NVIDIA 决定跳过 SOCAM 1 并推出 SOCAM 2，预计将在业内引发褒贬不一的反响。最初，内存行业对 SOCAM 的益处充满期待，并期待着它能开启一个超越 HBM 的全新 AI 内存市场。三星电子和 SK 海力士在电话会议中宣布，他们“正在为第三季度 SOCAM 的量产做准备”。然而，产品上市的延迟也耽误了商机。

一些分析师认为，这对三星电子和 SK 海力士来说可能是因祸得福。美光率先完成 SOCAM 1 的质量评估，获得了竞争优势，而现在，这三家内存制造商在 SOCAM 2 的研发上都处于同一起点。美光在 3 月份宣布已通过 NVIDIA 的 SOCAM 质量评估并将开始量产，而三星电子和 SK 海力士直到 7 月份才宣布 SOCAM 将在第三季度量产。

考虑到质量评估期，SOCAM 2 预计将于明年年初开始量产。作为一种可以根据需要选择性扩展内存的模块，其采用率预计会逐渐增加。

业内人士表示，“随着AI半导体计算性能的提升，解决数据瓶颈的内存需求也在不断增加”，“继HBM之后，SOCAMM也备受关注，业界非常关注在AI内存领域落后于竞争对手的三星能否扭转局面”。

END