普冉股份并购再落子，拟控股诺亚长天打造“MCU+存储”双平台

《科创板日报》9月16日讯（记者 编辑）国内存储器领域迎来重要整合。今日，普冉股份（688766.SH）发布公告称，正在筹划以现金方式收购参股公司珠海诺亚长天存储技术有限公司的控股权。交易完成后，普冉股份将实现对诺亚长天的控股，并间接控股其全资子公司、注册于中国香港的半导体企业SkyHigh Memory Limited（以下简称"SHM"）。此举标志着以NOR Flash和EEPROM见长的普冉股份，正式战略性地进入利基型DRAM市场，构建完整的存储芯片版图，这在中国芯片产业面临复杂国际环境的当下，具有深远意义。

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优势互补的强强联合

普冉股份是国内非易失性存储器芯片领域的领军企业之一。其核心产品NOR Flash和EEPROM广泛应用于物联网、手机屏幕、可穿戴设备及工业控制等领域，在全球市场中占据重要地位。据TrendForce最新数据显示，普冉股份在全球NOR Flash市场份额中稳居前五。近年来，公司成功拓展MCU业务，展现出打造"MCU+存储"平台化解决方案的战略意图。

本次交易的实际核心标的SHM，则是一家专注于利基型DRAM芯片设计、研发与销售的高科技企业。尽管注册于中国香港，但SHM在韩国和日本设有先进的研发中心，并构建了覆盖全球的销售网络。其核心团队由多位来自国际顶尖存储芯片企业的资深专家组成，拥有深厚的技术积累和市场经验。

从技术层面看，双方业务形成完美互补。普冉的NOR Flash和EEPROM属于"非易失性存储器"，类似于计算机的"硬盘"，用于长期存储数据；而SHM的DRAM属于"易失性存储器"，类似于计算机的"内存"，用于高速临时处理数据。这种互补性使得合并后的公司能够为客户提供一站式、完整的存储解决方案。

战略布局的深层逻辑

此次并购发生在全球半导体产业格局深刻变革与中国芯片产业奋力突围的大背景下，其战略价值远超普通商业收购。

首先，普冉股份通过此次收购巧妙地选择了差异化竞争路径。全球标准型DRAM市场长期被三星、SK海力士和美光三大巨头垄断，技术和资本壁垒极高。而利基型DRAM主要应用于消费电子、工业控制等对成本和功耗敏感的传统领域，是一个需求稳定的差异化市场。普冉通过收购SHM，避开与巨头的正面竞争，在一个更易切入的细分领域建立根据地，这体现了公司管理层的战略智慧。

其次，并购将产生显著的协同效应。在技术端，虽然存储类型不同，但在芯片设计、晶圆代工、封装测试等产业链环节可实现资源整合与成本优化。在市场端，普冉股份现有的海量客户与SHM的利基型DRAM目标市场高度重叠。整合后，普冉的销售团队可以向既有客户推广DRAM产品，SHM的渠道也可以导入普冉的NOR Flash和MCU产品，从而实现交叉销售，极大提升单客户价值与粘性。

最重要的是，SHM的国际化架构为公司发展提供了独特优势。其香港注册、日韩研发、全球销售的布局，在当前复杂的地缘政治环境下，为公司运营带来了一定的灵活性和韧性。这种架构有助于更顺畅地接入全球半导体产业链的技术与人才资源，为公司的技术迭代和市场拓展提供了更多可能性，展现了中国半导体企业利用全球化资源进行市场化运营的战略成熟度。

行业影响与未来展望

普冉股份此次并购将对国内存储芯片市场格局产生重要影响。目前，国内利基型DRAM市场的主要参与者包括北京君正（收购ISSI）、兆易创新、东芯股份等。普冉股份携SHM的强势入局，将使这一赛道的竞争更加激烈。各方将在技术、成本、客户资源和产能获取上展开全方位角逐，这有望加速技术迭代和产品降价，最终受益的将是下游广大客户，并进一步推动存储芯片的国产化替代进程。

展望未来，交易的成功与否关键在于整合成效。双方团队的企业文化融合、技术路线的协同规划、以及全球销售网络的效率提升，都将决定这"1+1"能否大于2。

顺利完成整合后，普冉股份将跃升为国内稀缺的同时全面覆盖非易失性存储（NOR/EEPROM）和易失性存储（DRAM）的平台型芯片设计公司。这不仅为其打开了全新的市场空间和业绩增长点，更使其在应对客户需求和参与国际竞争时拥有了更多筹码。

来源：网络综合报道