晶圆代工厂力积电昨日举行法说会公布第3季财报 ，受惠跌价损失回冲及汇损减少，第3季税后亏损27.28亿元新台币，每股税后亏损0.65元新台币，虽然连续九季亏损，但比前一季每股亏损0.8元新台币收敛;前三季每股亏损1.71元新台币。 公司释出本季调涨晶圆代工价格，涨价效益11月会显现，这也意谓单月将出现转盈的好契机，不过公司因未做财测，不对本季能否转盈做任何评论。

力积电总经理朱宪国表示，利基型DRAM因产能排挤效应影响，价格持续上涨，本季投片量与价格都会上升，他预估这波DRAM涨价将会延续至明年上半年，营运可望明显改善。

力积电预估第4季产能利用率约与第3季持平，内存维持满载、逻辑相对偏弱。 第4季受惠产存储器价格上扬及先进封装布局效益加持，营运已朝向逐季正向发展。

朱宪国强调，AI带动HBM等高阶记忆体需求爆发，因大厂将产能转往HBM而受排挤，利基型DRAM价格也将持续上涨; SLC NAND 因三星与SK海力士减产，价格也自第3季谷底翻扬; 编码型快闪存储器（NOR Flash） 受惠智慧物联网（AIoT） 应用需求推升，价格也呈现上扬。

他预估这波内存热度可望延续至2026年上半年，为此力积电也将自11月起开始涨价，并预期供需持续紧张，价格可望持续上涨。

至于逻辑芯片部分，中国十一长假后消费性电子需求平淡，双11备货潮不如以往，个大品牌业者也普遍保守看待，此外，欧美车厂稼动率仅约55%，力积电坦言，年终消费旺季面临挑战，预期第4季稼动率大致维持上季。

先进封装布局方面，力积电第3季3D AI Foundry产品线营收比重约2%。 至于晶圆堆栈（Wafer stacking）产品也进入客户验证阶段，规划明年下半年量产; 中间层（Interposer）已有多家客户完成设计定案（tape-out），并达量产水平，将扩大产能满足客户需求。

力积电也持续强化电源管理IC与功率元件，预期PMIC、MOS、GaN等相关产品将是为未来营运重点之一。 至于法人关注与Navitas的合作，力积电表示双方合作已逾3年，预料随台积电退出氮化镓（ GaN ）市场，客户将陆续转单至力积电。

芯片说对话存储专家纪要：DRAM /NAND明年各有30万片的缺口，扩产产能短期补不上

芯片说：您好！存储芯片行业向来有强周期性特征，最近我们关注到一个现象 —— 部分原厂在稼动率相对低位时反而主动涨价，这和以往周期逻辑似乎不太一样。想请教您，这种策略调整的核心原因是什么？另外，要是后续稼动率提升，会不会因为前期涨价透支需求，导致价格回落呢？

存储专家：这背后其实是原厂基于上一轮周期教训做的策略优化。上一轮周期（2022-2023 年）原厂吃了库存的亏，当时库存高达 4-5 个月，涨价后很快就因为供过于求大幅下滑。但这次不一样，当前行业库存只有 2.5 个月，已经是正常供需的下限了，而且原厂还在主动控产能 ——DRAM 稼动率 82%、NAND 稼动率 80%，都低于 80-85% 的正常水平，目的就是先把库存消化干净。再加上需求端给力，服务器、车载、手机这三大领域合计占比超 60%，都在增长，供需缺口慢慢就出来了，所以敢在稼动率低的时候涨价。

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