据业内人士9月24日透露，SK海力士计划在未来两年内新增约20台EUV光刻设备。目前，SK海力士拥有约20台EUV设备，其中包括用于研发（R&D）的设备。如果一切按计划进行，EUV设备的数量将在两年内翻一番。
EUV设备价格昂贵，每台设备售价在3000亿至5000亿韩元（约合2.5亿至4.5亿美元）之间。荷兰的ASML是全球唯一的EUV生产商。以单价计算，SK海力士的EUV设备投资预计至少为6万亿韩元（约合55亿美元）。
该公司计划依次引进EUV设备，并将其分布在其位于清州的M15X晶圆厂和位于利川的M16晶圆厂。该设备将首先安装在计划于今年年底投入运营的M15X晶圆厂，然后根据其工艺迁移路线图，再安装在M16晶圆厂。
一位知情人士表示：“SK海力士正在努力加快其新EUV生产线的启动，”并补充道：“我们正在与ASML密切磋商，以加快EUV设备的安装。”
EUV设备是一种能够雕刻约10纳米（nm）超精细电路的尖端设备。由于该设备由ASML独家供应，因此采购难度较大，全球半导体制造商需要排队购买。
截至去年年底，台湾地区台积电（TSMC）的 EUV 设备安装数量位居榜首。紧随其后的是三星电子（韩国）、英特尔（美国）、SK 海力士（韩国）和美光（美国）。
SK 海力士于 2021 年首次安装 EUV 设备，用于生产其 10 纳米级第四代 DRAM“1a”（约 14 纳米），此后逐渐增加 EUV 设备库存。
如果SK 海力士再安装 20 台 EUV 设备，预计其 EUV 设备部署数量将追平甚至超过英特尔，成为全球 EUV 设备库存第三多的公司。
SK 海力士扩建 EUV 设备是一项战略举措，旨在提升下一代 DRAM 和高带宽存储器 (HBM) 的生产效率。使用 EUV 制造半导体可以实现更精细的电路，提高每片晶圆的芯片良率，并提升功耗和性能。
首先，预计将提升用于HBM4 的 10nm 级第五代 DRAM (1b)（计划于今年年底量产）和目前正在准备量产的第六代 DRAM (1c) 的制造竞争力。这些产品是 SK 海力士明年的主要增长动力。
该公司还计划将EUV 技术应用于第七代 DRAM (1d) 和 10nm 及以下 DRAM。这些产品是尚未实现商业化的下一代内存产品。
作为保持内存市场领先地位战略的一部分，业界预计SK 海力士的 1d 内存最早将于明年实现量产。
SK 海力士的 EUV 扩张预计将对国内外材料和零部件行业产生重大影响。仅光刻设备一项就将至少投资6万亿韩元，而光刻设备的扩容必然会导致对EUV专用材料和组件的需求增加。EUV光刻通常需要专用的光刻胶（PR）和冲洗液。
SK海力士目前从JSR、杜邦和SK Materials Performance采购EUV光刻胶。默克和YC Chem已加入EUV冲洗液供应链。据报道，SK海力士已与合作伙伴探讨了扩大其材料和组件组合的方法。
SK海力士目前从JSR、杜邦和SK Materials Performance采购EUV光刻胶。YC Chem最近也加入了EUV冲洗液供应链。据报道，SK海力士已与合作伙伴探讨了扩大其材料和组件供应的方法。
