SK海力士完成全球首款HBM4开发，准备量产

SK海力士公司今天宣布，它已完成全球首款超高性能人工智能下一代存储产品HBM4的开发，并已完成量产准备。

HBM（高带宽存储器）是一种高价值、高性能的存储器通过垂直互连多个DRAM芯片，与传统DRAM产品相比，能显著提高数据处理速度。HBM共有六代，从最初的HBM开始，其后是HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4。

SK海力士表示，公司已成功完成开发，并基于这一技术成就，为HBM4大规模量产做好准备，以引领人工智能时代。通过这一势头，公司再次证明了其在全球人工智能存储器领域的领先地位。

“HBM4开发的完成将是行业的一个新里程碑，”领导此次开发的SK海力士HBM开发负责人Joohwan Cho说。“通过及时供应在性能、功耗效率和可靠性方面满足客户需求的产品，公司将实现产品上市时间要求并保持竞争优势。”

随着近期人工智能需求和数据处理的急剧增长，对更高带宽存储器的需求激增，以实现更快的系统速度。此外，由于数据中心运营的功耗增加，确保存储器功耗效率已成为客户的关键要求。SK海力士预计，具有更高带宽和功耗效率的HBM4将是满足客户需求的最佳解决方案。

已准备好大规模量产系统的HBM4，通过采用2,048个I/O终端（是上一代的两倍），将带宽增加了一倍，并将功耗效率提高了40%以上，从而拥有了业界最佳的数据处理速度和功耗效率。公司预计，当该产品应用后，人工智能服务性能可提升高达69%，这将有助于解决数据瓶颈并显著降低数据中心功耗成本。

该公司通过在HBM4中实现了超过10Gbps（千兆位/秒）的运行速度，远远超过了JEDEC（一个标准化机构，是为微电子行业制定开放标准和出版物的全球领导者）标准运行速度（8Gbps）。

此外，公司在HBM4中采用了已在市场上得到可靠验证的Advanced MR-MUF工艺，以及1bnm工艺（第五代10纳米技术），以最大限度地降低量产风险。

MR-MUF（大规模回流模压底填充）是一种堆叠半导体芯片的工艺，在芯片之间注入液体保护材料以保护芯片间的电路，并将其硬化。与每堆叠一片芯片就铺设一层薄膜材料的方法相比，该工艺已被证明在热量散发方面更高效和有效。SK海力士的Advanced MR-MUF技术对于确保HBM稳定量产至关重要，因为它提供了良好的翘曲控制并减少了堆叠芯片上的压力。

“我们正在揭示全球首个HBM4量产系统的建立，”SK海力士总裁兼AI基础设施负责人Justin Kim说。“HBM4是超越人工智能基础设施局限性的一个象征性转折点，将是克服技术挑战的核心产品。我们将通过及时供应人工智能时代所需的质量最佳、性能多样的存储产品，成长为一家全栈人工智能存储供应商。”

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