10纳米级第六代（1c）DRAM已于去年完成开发，并于今年开始量产。我们计划明年全面提升产能，到明年年底，我们国内超过一半的通用DRAM产能将用于1c纳米产品的生产。
SK海力士在29日举行的第三季度财报电话会议上宣布了其先进制程转型计划。虽然目前其大部分旗舰产品线仍将基于1b制程，但该公司认为，采用1c制程对于确保中长期竞争力至关重要。
该公司表示：“我们将基于性能和成本竞争力最高的1c制程，构建包括DDR5、LPDDR5和图形DRAM在内的全系列产品线。我们将及时供货，以满足客户需求并确保盈利能力。1c制程目前已实现稳定量产。”
事实上，SK海力士正推行一项战略：将其成熟的1b DRAM专注于HBM4等核心产品线，并将1c DRAM的应用扩展到通用产品。三星电子将其所有1c工艺产能都用于HBM，并将1b用于通用产品，而SK海力士和美光则反其道而行之。
此外，SK海力士正在加速其通用DRAM和NAND闪存部门向先进工艺的转型。 SK海力士表示：“明年新增产能将主要用于HBM，HBM的供应合同已敲定。对于通用DRAM和NAND，我们将通过将现有生产线过渡到先进工艺来应对不断增长的需求。” 换句话说，他们的策略是通过提高现有生产线的效率来提高生产力，而不是扩建新设施。
尤其值得一提的是，该公司正致力于提高NAND的盈利能力，并正在推进向全球最高密度的321层TLC和QLC产品的技术转型。该公司计划扩大这些产品的供应，以快速响应客户需求。预计从明年开始全面提升产能，321层产品预计将占SK海力士明年NAND生产位增长的一半以上。
与此同时，SK海力士在今天的电话会议上强调：“考虑到客户需求的强度和我们的产能，毫不夸张地说，明年不仅HBM，而且通用DRAM和NAND几乎都会‘售罄’。”该公司补充道：“对于通用内存产品，越来越多的客户寻求长期供应合同，一些客户正在积极应对供应短缺，提前下达了到2026年的采购订单。”
SK海力士预测，受大型科技公司增加资本支出（CAPEX）和人工智能投资的推动，未来五年HBM市场将继续以年均30%以上的速度增长。该公司表示：“为了满足快速增长的客户需求，整个内存行业的资本支出（CAPEX）整体扩张是不可避免的。我们明年的资本支出预计也将比今年大幅增加。我们计划保持稳定的财务结构。”
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