【区角快讯】存储芯片巨头SK海力士已全面完成其位于中国江苏无锡的DRAM晶圆厂制程升级，将原有1z纳米（第三代10纳米级）工艺成功迁移至更先进的1a纳米（第四代10纳米级）节点。
目前，该工厂每月可处理18万至19万片12英寸晶圆，其中约九成产能已切换至1a工艺。相较于1z，1a制程在单位晶圆上可产出约25%更多芯片，同时功耗降低约20%，显著提升产品性能与能效表现。
无锡基地在全球DRAM供应链中占据核心地位，其产量约占SK海力士全球DRAM总产出的30%至40%。此前市场曾担忧美国对华半导体设备出口管制可能阻碍该厂获取极紫外（EUV）光刻机，进而影响技术演进与全球供应稳定。但最新进展显示，相关风险已被有效化解。
由于1a工艺依赖EUV光刻技术，而EUV设备受美国出口管制无法直接部署于中国境内，SK海力士采取了“分段制造”策略：关键EUV光刻步骤在韩国本土完成，随后将晶圆运回无锡进行后续工序整合。尽管此举增加了物流与工艺复杂度及成本，但公司仍坚定推进转型，凸显无锡工厂的战略价值。
自2006年投产以来，SK海力士在无锡累计投资已达数十万亿韩元。与此同时，其韩国本土产线正加速向第六代10纳米级1c工艺过渡，重点布局于利川的M14与M16晶圆厂。
通过这一全球分工布局，SK海力士实现差异化生产：无锡聚焦大规模、高性价比的成熟先进制程DRAM，韩国则主攻HBM及最尖端DRAM产品，在地缘政治约束下维持技术领先与供应链韧性。此举也反映出全球半导体制造正从单一本地化向“合规导向的分布式协同”模式演进。
