【区角快讯】为应对人工智能浪潮催生的高性能存储芯片需求激增，韩国半导体巨头SK海力士于本周二正式宣布，将投资19万亿韩元（约合129亿美元），在本土建设一座全新的先进芯片封装工厂。
该工厂选址位于韩国忠清北道清州市，计划于2026年4月启动施工，目标在2027年底前完成并投入运营。值得注意的是，清州已是SK海力士的重要制造基地，现有多个生产设施布局于此。
公司指出，全球AI竞赛日趋白热化，正强力拉动对AI专用存储器——尤其是高带宽内存（HBM）的需求。SK海力士预计，2025至2030年间，HBM市场将以年均33%的复合增长率持续扩张。
作为当前最主流的易失性半导体存储器，DRAM广泛应用于服务器、智能手机及个人电脑等设备，承担核心运行内存功能，支持高速随机数据访问。而HBM则采用3D堆叠架构，属于高性能DRAM的一种，在带宽、功耗效率与空间利用率方面显著优于传统产品，已成为大模型训练和高性能计算场景的关键组件。
据麦格理证券研究部数据显示，SK海力士在2025年全球HBM市场中占据61%的份额，稳居首位；美光与三星电子分别以20%和19%的市占率紧随其后。
公司将于下周公布截至2025年12月31日的第四财季财报，市场普遍预期其业绩将因AI驱动的强劲需求而大幅增长。
此前一周，竞争对手三星电子已发布初步财报，显示其2025年第四季度营业利润达20万亿韩元（约合138.2亿美元），同比暴增208%，远超市场预期的18万亿韩元，创下历史单季最高纪录。
近期存储芯片价格持续攀升，主因包括产能向AI相关产品倾斜导致传统芯片供应受限，以及AI模型训练对各类存储芯片需求同步飙升。据悉，三星与SK海力士已于本月初向服务器、PC及智能手机客户提出DRAM涨价方案，2026年第一季度报价较上季度涨幅高达60%至70%。
在全球AI基础设施加速部署的背景下，存储芯片厂商正通过大规模资本开支与技术升级，争夺下一代高性能内存市场的主导权。
