SK 海力士完成中国无锡工厂 DRAM 产线升级 美对华半导体管制下实现工艺迭代 夯实生产根基
据行业消息 14 日透露，SK 海力士已将其无锡工厂的 DRAM 制程工艺，由原有的 1z 工艺升级至 1a 工艺。该工厂的 12 英寸晶圆月投片量达 18 万至 19 万片，目前约 90% 的产能已切换为 1a 工艺。SK 海力士曾在 2024 年 1 月的业绩说明会上公布无锡工厂的工艺升级计划，此次完成切换，历时整整两年。
DRAM 芯片依据制程微细化程度划分技术代际。其中，1z 工艺属于 10 纳米级 DRAM 的第三代技术，1a 工艺则为第四代。代际越高，芯片性能越优异。至此，SK 海力士无锡工厂具备了量产性能更优 DRAM 芯片的能力。
无锡工厂的工艺升级之所以备受关注，源于其作为 SK 海力士核心生产基地的重要地位。该工厂承担了 SK 海力士全球 DRAM 总产量 30% 至 40% 的产能。
此前，外界担忧，若因美国对华半导体设备管制而无法完成工艺升级，不仅会影响产能，更可能导致公司整体业务陷入停滞。此次工艺切换的顺利落地，有效打消了这一顾虑。
SK 海力士移动设备用 DRAM 产品 LPDDR5X
值得一提的是，1a 工艺的生产需采用极紫外光（EUV）光刻技术。然而，受美国出口管制政策影响，EUV 光刻机被禁止运往中国境内。
为突破这一限制，SK 海力士采用了一种特殊的生产模式：将需要依赖 EUV 光刻机完成的精细电路加工环节放在韩国本土工厂进行，剩余的生产工序则转移至无锡工厂完成。
尽管这种模式增加了工艺复杂度与物流成本，但 SK 海力士仍坚持推进无锡工厂的 1a 工艺升级，其背后正是源于该工厂的战略重要性 —— 它是企业能够灵活响应中国乃至全球市场需求、维持核心竞争力的关键生产支点。
SK 海力士社长宋铉宗曾在去年第二季度的业绩说明会上强调：“中国工厂不仅对 SK 海力士意义重大，在全球存储半导体的供需格局中，也是不可或缺的关键生产设施。我们将密切关注美国相关管制政策的动向，并与各国政府保持紧密沟通，确保工厂的持续稳定运营。”
自 2006 年正式投产以来，SK 海力士在无锡工厂的累计投资额已高达数千亿韩元。
与此同时，SK 海力士正加速推进韩国本土 DRAM 工厂的工艺升级，计划向第六代技术（1c 工艺）切换。公司将重点针对利川 M14 和 M16 工厂，集中投入资源开展 1c 工艺的升级改造。未来，SK 海力士将形成 “中国工厂主攻通用型 DRAM 产品、韩国本土工厂专注尖端 DRAM 产品” 的差异化生产格局。
Dram 10nm级工艺介绍
DRAM 行业自 20nm 级工艺后，采用字母后缀命名体系替代传统纳米数标注，1x、1y、1z、1a 均属于10nm 级 (10nm-class) DRAM 工艺，按技术成熟度和性能排序为：1x<1y < 1z < 1a < 1b < 1c，分别对应 10nm 级技术的5个代次产品。
