据报道，SK海力士（股价94.9万韩元，上涨5.5万韩元，涨幅6.15%）曾考虑在日本建设一座内存半导体工厂。
2月21日，日本经济新闻（Nikkei Shimbun）报道称：“SK海力士似乎已与日本地方政府接洽，探讨建设内存半导体工厂的潜在选址。此举似乎基于政府补贴，因此该计划能否最终落实尚难预料。”
然而，SK否认了在日本建设内存半导体工厂的任何计划，并表示：“我们尚未审查过任何此类细节。”日经新闻报道称，SK据称计划在日本政府的补贴下，建设一座新的DRAM工厂，即用于短期存储器的内存半导体制造工厂。
《日经新闻》报道称，“SK海力士与三星电子共同占据全球DRAM市场70%的份额”，并补充道，“这些韩国公司正在加速扩大产能并建设新工厂，以解决存储半导体供需问题。”
《日经新闻》援引SK集团会长崔泰源2024年的一次采访解释道，“当时，崔泰源会长暗示了进军日本市场的可能性，表示正在调查在日本或美国进行半导体生产的可行性，但目前看来尚未取得实质性进展。”《日经新闻》还补充说，SK集团仍在与日本政府进行磋商，但该计划的可行性目前仍不明朗。
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