SK海力士，计划赴美上市

 

据业内消息人士透露，SK海力士计划发行新股，以进行美国存托凭证（ADR）的上市交易。募来的资金用于建设人工智能基础设施，比如在韩国龙仁市建设半导体集群，以及扩大存储产品的产能。SK海力士的一位发言人就该报道回应称，“旨在提升股东价值的各种措施，包括美国存托凭证，目前正处于审查阶段，尚未有最终决定。”

若该上市计划能够成功落地，那么它将成为由外国公司进行的规模最大的赴美上市交易之一。据报道，SK海力士已向多家投资银行发出了招标邀请，以选定其上市承销商。值得一提的是，今年SK海力士注销了约1530万股库存股，价值约12.2万亿韩元，以此提升股东价值。该公司潜在的美国上市规模可能约占已发行股份的2.4%，与注销的库存股数量大致相当。

SK海力士发布有形资产收购公告，宣布将引进规模达11.9496万亿韩元的极紫外（EUV）设备。此次投资规模相当于SK海力士总资产的9.97%，设备预计收购时间从本月起至明年12月31日。SK海力士表示：“收购金额为EUV光刻机引进与运营所需的新设备、安装、库存等全部预计费用。收购对象将在总计两年内分批购入，每台设备单独采购时将分期支付款项。”

EUV是用于在半导体晶圆上蚀刻电路的光刻工艺光源。与传统半导体光刻光源 ArF（氟化氩）相比，其光波波长仅为后者的1/13（13.5 纳米），更易于实现超微细化制程。目前EUV设备由荷兰半导体设备企业ASML独家生产，技术难度极高，设备价格也十分昂贵。据悉，最新一代设备单价约为3000亿韩元。

以此价格推算，SK海力士到明年为止预计将引进至少30台以上EUV设备。目前SK海力士正在建设清州M15X厂区，并从今年开始正式导入设备。龙仁半导体集群的首座厂区计划在明年2月洁净室完工后进驻设备。

EUV工艺的核心应用对象为1c DRAM。此前，SK海力士已在1a DRAM的1层结构中首次应用 EUV，之后在1b DRAM中将其扩大至4层，而1c DRAM将采用更多层EUV工艺。1c DRAM 不仅将用于 SK海力士下一代移动、服务器 DRAM，也将应用于人工智能数据中心核心部件 ——HBM。计划从明年正式量产的HBM4E开始，首次采用1c DRAM。

SK海力士拟在 2030 年前建立一家自主晶圆厂，旨在利用先进的人工智能和数字技术实现半导体生产的自动化和优化。该举措旨在应对存储芯片需求量的迅速增长，尤其是用于人工智能工作负载的高带宽存储需求。此举还将提升其各制造设施内的洁净室生产性能。

自主化工厂概念的核心在于将自动化技术深入延伸至工厂的洁净室区域。SK海力士的发展规划包括部署人工智能系统，以实现对洁净室流程的监测、控制和调整，同时尽可能减少人工干预。该计划包括提高极紫外光刻、蚀刻及其他纳米级工序的精确度并降低缺陷率。洁净室对于半导体制造至关重要，因为即便是微小的污染物也可能影响电路的完整性。

SK海力士表示，其自主晶圆厂愿景将围绕三大技术支柱构建：

• 操作型人工智能：将作为核心决策中枢，赋能生产流程优化、缺陷精准检测以及设备维护排程等关键环节。

• 物理人工智能：主要用于统筹洁净室的地面活动调度、物料流转运输以及机器人协同作业。

• 数字孪生模型：通过构建与现实工厂完全对应的虚拟镜像，实现生产场景的实时模拟、厂区布局验证以及各类情景的推演规划。

使用数字孪生的目的是为了减少实际洁净室生产线上反复试错的过程。这将使 SK海力士能够在对生产现场实施改动前，对物料流动、设备交互以及环境因素进行模拟。

尽管韩国和美国正在扩大晶圆厂产能，但仅仅建造更多设施还不足以满足人工智能领域日益飙升的内存需求。这项自主制造计划旨在提升生产效率，并通过减少对人工操作的依赖和增强洁净室自动化程度，缩短从设计到大规模生产的过渡过程。有关这座自主化工厂的特定地点尚未公布，但SK海力士目前在清州市和龙仁半导体集群地区的现有及规划中的工厂很可能将作为新技术的基础。