三星电子（005930）和SK海力士（000660）将于明年2月率先在存储半导体行业实现HBM4（第六代高带宽内存）的量产。这两家韩国领先的半导体公司将同时启动HBM4的量产，该产品将用于NVIDIA的下一代AI芯片Rubin。这标志着韩国半导体明年将在全球存储市场占据主导地位。
据业内人士12月25日透露，SK海力士将于明年2月在其位于京畿道利川市的M16工厂开始量产HBM4。SK海力士目前正在向NVIDIA提供付费的HBM4样品，并已顺利通过最终质量测试，正在向量产过渡。三星电子也将于明年2月在其平泽园区全面启动HBM4的量产。
HBM4 代表着一个转折点，它超越了简单的性能提升，迈向了为客户量身定制的产品。SK 海力士与台湾领先的晶圆代工企业台积电 (TSMC) 合作，为 HBM4 的核心芯片——基片——采用了 12nm 逻辑工艺。这使得 SK 海力士的 HBM4 带宽（数据处理速度）比上一代产品提升了一倍，能效也提高了 40% 以上。行业分析师预测，随着明年下半年 Rubin 的发布，市场对 HBM4 的需求将出现爆发式增长，届时 HBM4 的销量将超越 HBM3E（第五代），成为旗舰产品。
SK 海力士将于明年 2 月开始量产 HBM4，引领下一代 AI 芯片市场。SK 海力士已于 3 月向 NVIDIA 提供了 HBM4 样品，并于 9 月完成了量产，成为首家开始量产最终产品的厂商。
据报道，与前几代产品不同，三星电子大胆地采用了尖端工艺制造HBM4，其性能赢得了NVIDIA的高度评价。量产也提前至明年2月，比预期更早。业界第三大厂商美光计划于明年第二季度开始量产。因此，NVIDIA预计将根据三星和SK海力士的HBM4（将于明年初开始量产）来制定其下一代AI芯片的开发计划和发布日期。
一位业内人士预测：“三星电子和SK海力士将通过主导早期HBM4市场来巩固其双寡头垄断地位。它们压倒性的良率和技术实力将使竞争对手在短期内难以追赶。”
