新闻①：三星和SK海力士已将第四季度存储器价格上调：包括DRAM和NAND，最高达30%

过去几个月里，不少存储器厂商都传出了涨价的消息，包括DRAM和NAND闪存产品，甚至连西部数据的机械硬盘都宣布涨价，而且还延长了产品的交货时间。不过到了这个月，涨价速度明显变得更快，幅度也变得更大，相信不少消费者已经感受到汹涌的涨势。

据TrendForce报道，随着存储器超级周期的来临，涨价势头似乎变得不可阻挡，存储器制造商纷纷提高定价来应对。三星和SK海力士已经将今年第四季度存储器价格上调，包括DRAM和NAND闪存产品，最高涨幅达到了30%，这部分成本很快会转嫁给消费者。

有分析人士指出，由于人工智能（AI）的驱动，这次存储器超级周期将比过去的繁荣期更长也更强，供应短缺的情况可能会持续三到四年。由于HBM需求激增，加上其消耗的晶圆是标准DRAM的三倍以上，加剧了供应紧张的局面。大量AI服务器投资、通用服务器存储升级、终端设备的AI需求等，几个因素叠加推动了存储器价格的上涨。

不少电子及服务器大厂正在与三星和SK海力士进行长期供应协商， 并不断囤积存储器。由于担心接下来的供应短缺，不少企业甚至寻求两到三年的中长期合同，而以往都是按季度或者最多年度来签订合同。

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新闻②：AI刺激存储需求增长，三星第8代V-NAND闪存产线利用率攀升至80%

随着数据中心扩张的加速，云端服务供应商将重点从人工智能（AI）应用从训练转向推理，对大容量存储产品的需求激增，推动了全球NAND闪存市场的快速复苏，也导致了NAND闪存供应开始收紧。

据TrendForce报道，有消息人士透露，三星已经扩大了其位于平泽的主要NAND闪存工厂的生产，2025年第三季度第8代V-NAND闪存产线利用率比上一季度提高了超过10%，由过去的60%至70%之间攀升至80%左右，预计第四季度也会持续提升。事实上，自今年年中以来，三星用于NAND闪存生产的材料和组件订单也在不断增加。

三星是在2022年11月，开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，层数达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。其基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍。这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0/5.0产品的性能要求，成为了存储配置的基石，不但扩展了企业存储容量，同时还拓展至可靠性要求较高的汽车市场。

第8代V-NAND闪存间接受益于AI驱动的存储需求反弹，由于QLC eSSD供应有限，TLC eSSD也成为了争抢的目标。第8代V-NAND闪存采用了TLC设计，至今没有QLC版本，平时主要用于消费类产品，现在供应已经逐步转向eSSD，消费端SSD库存正在迅速下降。

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新闻③：东芝在业界率先验证12盘堆叠技术，目标2027年推出下一代40TB级别HDD

东芝宣布，在存储行业率先验证了用于大容量机械硬盘（HDD）的12盘堆叠技术。东芝计划将这一成果与MAMR（微波辅助磁记录）技术相结合，目标2027年推出下一代用于数据中心的40TB级别3.5英寸机械硬盘。

这项革命性的堆叠技术运用了东芝在开发轻薄紧凑产品过程中积累的先进设计和经验，在近线硬盘中常见的标准10盘堆叠基础上增加了2片磁盘，其中关键的突破包括开发专用于堆叠结构的新型部件，并将现有铝基板介质替换为玻璃基板，不仅提升耐久性，还支持更纤薄的设计。这些创新显著增强了机械稳定性和平面精度，实现更高存储密度与可靠性。

东芝表示，随着云服务扩张、流媒体视频普及、还有生成式AI与数据科学的迅猛发展，数据生成与存储需求持续激增。这次采用12盘堆叠技术的新款机械硬盘具备支持AI驱动的数据中心存储指数级增长所需的可扩展性和可靠性，凭借成熟的记录技术实现EB级别容量。

东芝还在研究如何将12盘堆叠技术应用于下一代HAMR（热辅助磁记录），以提供更大容量的机械硬盘解决方案，满足数据中心不断增长的存储需求同时，降低客户的总拥有成本（TCO）。