预测显示，三星电子明年在高带宽存储器（HBM）市场的份额将超过30%。尽管今年上半年三星电子表现不佳，落后于SK海力士和美光，但分析师预测，随着其下一代产品HBM4全面进入英伟达供应链，其销量将有所增长。
根据市场调研公司Counterpoint Research 9月24日发布的最新存储器半导体数据，SK海力士在第二季度以62%的市场份额领跑HBM市场。美光科技以21%的市场份额位居第二，三星电子以17%的市场份额位居第三。
Counterpoint Research预测，尽管三星电子在第二季度的市场份额低于预期，但明年其在HBM市场的份额将超过30%。这得益于该公司即将获得主要客户的HBM3E产品认证，以及明年凭借HBM4出口扩大市场份额的能力。
三星电子推出了比HBM4领先一步的10纳米级第六代（1c）DRAM工艺以及4纳米代工工艺。今年7月，该公司完成了采用1c纳米工艺的HBM4的开发，并向主要客户交付样品，预计将于年底实现量产。据悉，三星电子正在开发的HBM4通过提高单元集成密度，与上一代产品相比，功耗提高了40%，数据处理速度据称可达11Gbps。开发完成后，该公司近期重启了此前因实施“规模经济”战略而暂停的平泽五号工厂（P5）的建设。
该机构预计，随着HBM4的发布，韩国企业在HBM市场的主导地位将进一步巩固。HBM领域的领军企业SK海力士已完成HBM4的开发，并于近期建立了量产体系。如果通过质量测试，预计将被搭载于英伟达的下一代人工智能 (AI) 图形处理器 (GPU) Rubin，后者计划于明年年底实现量产。中国企业正试图通过开发HBM产品在技术上迎头赶上，但由于难度较高，目前尚未能够真正落地。
Counterpoint Research高级研究员Choi Jung-gu分析道：“中国正在推进HBM3开发，但尚未解决运行速度和发热等技术问题。最初预计今年出货的产品，很可能要到明年下半年才能实现。”
