增购20 台 EUV 设备，强化下一代存储制造

SK 海力士正大规模引进极紫外（EUV）光刻设备，计划 2027 年前增购约 20 台，将现有约 20 台（含研发用）的规模扩大一倍，总保有量有望跻身全球前三、与英特尔相当甚至超越。

EUV 光刻机是超微细半导体电路核心装备，仅荷兰 ASML 能生产，每台售价 3000 亿 - 5000 亿韩元，此次投资规模预计至少 6 万亿韩元。

新增设备将落地清州 M15X 工厂（今年底投产，率先配置）和利川 M16 工厂（按工艺转换路线图引入），公司还在与 ASML 协商加快交付，考虑提前启动新 EUV 生产线。

此举旨在强化下一代 DRAM 和 HBM 制造能力：EUV 可刻画 10 纳米级电路，提升单位晶圆芯片产出及产品能效性能，将优先支撑年底量产的 HBM4 用 10 纳米级第 5 代 DRAM（1b）、待量产的第 6 代 DRAM（1c），未来第 7 代 DRAM（1d）及更先进 10 纳米级以下产品也将导入该工艺，1d DRAM 最快明年启动量产转移。

同时，这一投资将带动 EUV 专用光刻材料与部件需求增长，SK 海力士已与 JSR、杜邦（光刻胶）、默克、YCChem（清洗液）等供应商协商扩大供应。对于该计划，SK 海力士表示 “具体细节暂不便确认”。

SK 海力士举行新一代半导体光刻设备 “高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）” 搬入纪念仪式

9 月 3 日，SK 海力士举行了新一代半导体光刻设备 “高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）” 的搬入纪念仪式。（从左数第五位起分别为：ASML 韩国代表理事社长金炳灿、SK 海力士采购担当副社长金成汉、SK 海力士未来技术研究院院长副社长车善容（音译）、SK 海力士制造技术担当副社长李炳基）

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