SK海力士砸6万亿抢EUV，存储器要爆？

一、核心金额换算（1 韩元≈0.005088 人民币）

二、规模对比

305.3 亿元≈：

一、设备争夺战：砸 6 万亿冲击全球前三

全球半导体行业正迎来一场 “光刻军备竞赛”，SK 海力士的出手堪称震撼。这家韩国存储巨头正以 “两年翻番” 的激进速度疯狂囤积 EUV 光刻机 —— 计划未来两年追加 20 余台设备，将总量从现有 20 台飙升至 40 台以上，直接跻身全球 EUV 保有量前三，与英特尔站在同一梯队。

这场豪赌的代价高达 6 万亿韩元以上，每台 3000 亿至 5000 亿韩元的设备堪称 “印钞机级” 资产，而全球仅 ASML 能生产的垄断属性，更让这场扩产充满紧迫感。为抢得先机，SK 海力士正与 ASML 紧急协商加速交付，甚至考虑提前启动新生产线，清州 M15X 工厂年底投产后将率先搭载 EUV 设备，利川 M16 工厂则同步推进工艺转换。

在 ASML 年产能仅 90 台的背景下，SK 海力士的抢单动作直击行业痛点。要知道，台积电、三星等巨头早已排队抢购，而 SK 海力士自 2021 年首次将 EUV 用于 14 纳米 DRAM 后，此次扩产将彻底打破全球设备分布格局。

二、产业链震动：HBM 霸权与材料狂欢双爆发

这场千亿级投资的背后，是 SK 海力士对下一代存储霸权的野心。EUV 带来的 10 纳米级刻蚀能力，将直接赋能 HBM4 与先进 DRAM 量产 —— 年底投产的 HBM4 采用 1b 工艺，能效提升 40% 且能让 AI 性能暴涨 69%，而明年启动量产的 1d DRAM 更将冲刺 10 纳米以下制程。

这一布局精准卡位 AI 浪潮：英伟达 Rubin 平台急需 HBM4 供应，特斯拉、微软等巨头纷纷抛出订单，SK 海力士凭借先发优势有望稳占 60% 市场份额。反观竞争对手，三星 HBM4 测试落后两个月，美光坚持 “有限 EUV” 策略，SK 海力士正借设备红利拉开代差。

设备狂潮更激活了整条产业链。EUV 专用光刻胶需求激增，JSR、杜邦等供应商已接到扩产协商；默克、YCChem 的清洗液订单将同步放量。在 SEMI 预测 2025 年半导体设备市场增长 17% 的背景下，SK 海力士的 6 万亿投资正成为行业复苏的 “强引擎”。

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