SK海力士正在全力提升其清州工厂的DRAM产能，并完成了其高带宽存储器（HBM）和通用DRAM工厂的人员调配。受生成式人工智能（AI）需求爆发式增长的推动，曾被视为NAND闪存核心的清州工厂也正在转移部分生产。
据业内人士9月26日透露，SK海力士计划于下月中旬在忠清北道清州市兴德区的M15X工厂安装首批设备。该公司计划年内投产该工厂并完成量产审批程序，力争明年按照客户计划全面启动DRAM量产。
M15X 工厂旨在生产 10nm 级第五代 (1b) DRAM，该 DRAM 将用于生产第六代 HBM (HBM4)。正如预期，一旦 M15X 工厂于 11 月竣工，工厂的运营预计将顺利进行。新员工的招聘和人员分配也已接近尾声。SK 海力士清州工厂已选定有意向在 M15X 工厂工作的现有 NAND 闪存生产人员。据报道，利川工厂的部分员工也已做好调动准备。
此次产能扩张预计将提升 HBM 相关的销售额并提高工作效率。SK 海力士目前正在清州 M15 工厂新建一条 HBM 后处理生产线。该公司的战略是通过将 M15X 生产的 DRAM 转移到附近的 M15 工厂进行封装来提高生产力。 SK海力士此前在M15工厂部署了一条硅通孔 (TSV) 生产线，该生产线可实现DRAM的多层封装。
此次大胆的投资源于客户NVIDIA的AI加速器对HBM（高带宽存储器）需求的增长。HBM是由12个DRAM芯片堆叠封装而成。与过去相比，DRAM的需求必将大幅增长。正因如此，SK海力士正在稳步扩建其DRAM生产设施，包括位于清州的M15X晶圆厂和位于龙仁半导体产业集群的首座晶圆厂。
SK海力士的一位代表表示：“虽然很难提供具体细节，但明年与主要客户就HBM供应进行的谈判正在按计划进行。作为密切的合作伙伴，我们正在探讨AI半导体领域的最佳供应条件。” 他们补充道：“我们正在做好准备，确保及时、稳定地供应满足客户需求的优质产品。”
与此同时，SK海力士计划在中长期内向M15X晶圆厂投资超过20万亿韩元（1012亿元人民币），以巩固其作为下一代DRAM生产基地的地位，直至龙仁产业集群全面投产。今年上半年，全公司资本支出（CAPEX）较去年同期翻了一番，达到约11万亿韩元。
