通用存储器价格正在快速上涨。
这是因为三星电子、SK海力士、美光等存储器制造商将投资重点放在高带宽存储器（HBM）的生产上，导致存储器供应出现实际短缺。
这种供需失衡可能会持续到明年，从而导致存储器价格持续走高。
据业内人士9月19日报道，《电子时报》近期预测，受人工智能需求强劲推动，NAND和DRAM存储器的合约价格将在第四季度上涨15-20%。
这打破了典型的年底价格下跌模式，表明通用存储器市场将比预期更早地出现回暖。
近期半导体行业的复苏是由供需双方共同推动的。
包括人工智能（AI）数据中心在内的服务器市场对存储器的需求增长速度超出预期。这得益于美国大型科技公司持续高于预期的数据中心投资。
然而，内存供应增长仍然有限。这是由于主要内存供应商将投资集中在昂贵的HBM上。
特别是，高附加值产品的良率管理（无缺陷、合格产品的百分比）非常困难，而且更大的芯片面积限制了产能扩张。
供应短缺导致大型科技公司的需求增加，这些公司正在积极囤积内存库存，进一步推高价格。
股市分析师预测，内存供应短缺可能会持续到明年。
美国金融公司Susquehanna分析称：“整个行业都专注于提高利润率，而不是扩大销售份额”，并且“预计2026年通用DRAM价格也将同比上涨。”
IM Securities预测明年DRAM产能（资本支出）将增长13.5%。这一数字略高于同期13.7%的需求增长率。全球投资公司花旗预测，明年DRAM的供应将比需求低1.8%，NAND也将面临约4%的缺口。
未来资产证券分析师金永建表示：“明年DRAM晶圆产能增幅预计为6.5%，为三年来最低。由于供应有限，预计内存价格将上涨。”
