存储巨头，纷纷投靠台积电

美光科技，作为美国最大的电脑内存芯片制造商，因人工智能设备需求带动，给出了乐观的季度业绩预期，其指出，下一代HBM内存将与台积电合作生产基础逻辑芯片。

公司周二发布声明称，本财年第一季度营收预计约为125亿美元，高于分析师平均预期的119亿美元。扣除部分项目后，每股利润预计约为3.75美元，而市场此前预估为3.05美元。

这一前景证明了美光已成为AI投资的主要受益者。其高带宽存储器（HBM）是开发人工智能模型所需芯片与系统的关键组成部分，这也使得该技术成为总部位于爱达荷州博伊西的美光极具盈利性的产品。

值得关注的是，美光在财报会议上表示其HBM4 12-Hi DRAM 解决方案进展顺利，为了满足近期不断增长的性能需求，该公司已生产并交付了迄今为止速度最快的 HBM4 解决方案的首批样品，该解决方案提供超过 11 Gbps 的引脚速度和 2.8 TB/s 的带宽。他们表示，新的 HBM4 产品在性能和效率方面应该超越所有竞争对手。

除了 HBM4，美光还谈到了下一代 HBM4E 内存。与完全基于自主研发的先进 CMOS 基础芯片的 HBM 不同，美光将与台积电合作生产 HBM4E 内存的基础逻辑芯片。标准版和定制版均将采用此方案。美光还强调，他们预计 HBM4E 将于 2027 年上市。

美光公司表示，他们已与英伟达密切合作，推动服务器采用 LPDDR 内存，使其成为数据中心领域 LPDDR DRAM 的唯一供应商。美光公司还谈到了用于人工智能和客户端产品的 GDDR7 内存。预计该内存在未来的迭代和产品中，引脚速度将超过 40 Gbps。目前，英伟达是唯一一家在其 GPU 中使用 GDDR7 的 GPU 制造商。美光公司最初宣布的GDDR7 引脚速度为 32 Gbps，因此 40 Gbps 将比 32 Gbps 的速度提升 25%。

最后，1γ DRAM 节点也取得了进展，该节点已在创纪录的时间内达到成熟良率，比上一代快了 50%。G9 NAND 产能提升也进展顺利，美光科技宣布其 G9 NAND 节点将同时支持 TLC 和 QLC NAND 闪存解决方案。该公司是首家推出 PCIe Gen6 SSD（用于数据中心）的公司，并将继续提供更多采用 16Gb 1γ DRAM 的解决方案。

不过，由于今年股价已大幅上涨，美光的业绩仍难以令投资者惊艳。在业绩公布后，股价在盘后剧烈波动。今年以来，美光股价几乎翻倍，涨幅超过大多数同行，反映出市场对AI的乐观预期。

美光首席执行官梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在声明中表示：“在2025财年，我们在数据中心业务上创下历史新高，并以强劲的势头和迄今最具竞争力的产品组合进入2026财年。作为唯一一家总部在美国的存储器制造商，美光在抓住AI机遇方面具备独特优势。”

截至8月28日的财年第四季度，美光营收同比增长46%，达到113亿美元，高于市场预估的112亿美元；剔除部分项目后，每股收益为3.03美元，超出市场平均预测的2.84美元。

美光预计，存储芯片供应紧张的状况将延续到明年。数据中心设备需求的增长，使企业难以跟上订单。与此同时，AI相关业务也推高了对NAND闪存（美光第二大产品线）的需求。

公司警告称，为满足市场需求，资本支出将增加。美光在2025财年的厂房与设备投入达138亿美元，并预计在当前财年将进一步提高投资。

美光还透露，已与客户就2026年大部分HBM3e存储器芯片达成价格协议，并已提供下一代HBM4的样品。公司计划通过固定合同销售这些产品，以确保营收稳定。

美光全球运营负责人Manish Bhatia在财报后接受采访时表示，公司仍聚焦于提升盈利，而非单纯追逐市场份额。他还预计，个人电脑和手机行业对存储芯片的需求将增长，这些领域在采用AI方面曾落后于数据中心运营商，但如今正在加快步伐。

Bhatia指出，HBM制造工艺复杂，占用的工厂产能时间更长，从而抑制了整体供应扩张，维持了健康的市场环境。存储芯片市场历来以“繁荣与衰退交替”著称，产品价格波动剧烈。

目前，美光与韩国竞争对手SK海力士在HBM领域已缩小与市场领导者三星电子的差距。美光和海力士均更早推出了与英伟达AI处理器紧密配合的最新HBM产品。美光高管在周二表示，其最新一代以及即将推出的产品正在帮助公司在这一领域取得领先。

事实上，美光的乐观情绪在9月11日已被点燃，当时多位分析师看好其数据中心市场的增长潜力，引发公司四个月来最大单日股价涨幅。

花旗集团分析师Christopher Danely当时将美光目标价上调至175美元，并表示公司“业绩指引将远高于市场一致预期”。他指出，美光受益于高于预期的市场需求，且供不应求，尤其是在数据中心领域，该板块已占美光营收的一半以上。

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