图片来源：Micron
美光科技（Micron Technology）正与台积电合作开发下一代 HBM4E 内存，目标于 2027 年推向市场。这家美国芯片制造商在第四财季财报电话会议中确认了该计划，同时透露已向客户出货其速度最快的 11Gbps HBM4 DRAM。
HBM4 推进顺利
美光表示其 HBM4 12-Hi DRAM 进展顺利。为满足不断增长的性能需求，公司已生产并出货了迄今速度最快的 HBM4 首批样品。据 Wccftech 与 The Register 报道，该内存速度超过 11Gbps，带宽达 2.8TB / 秒。
美光称，其最新 HBM4 产品线有望在性能和能效上均超越竞争对手。
台积电在 HBM4E 中的角色
在 HBM4 之外，美光重点提及了即将推出的 HBM4E。与前几代产品不同，美光将与台积电合作制造 HBM4E 的基础逻辑芯片，合作范围涵盖标准版本与定制版本。
该公司表示，与客户紧密协作开发的定制化 HBM4E 设计，利润率将高于标准产品。目前美光的 HBM 客户群已扩大至六家企业。
HBM3E 定价敲定，重心转向 HBM4
美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 确认，针对 2026 年绝大部分 HBM3E 产能，公司已与几乎所有客户签订了定价协议。
目前美光正就 HBM4 的规格与产量展开积极磋商，预计将在数月内敲定 2026 年剩余 HBM 产品的销售协议。
扩充数据中心与图形芯片产品线
美光还与英伟达紧密合作，推动 LPDDR 内存在服务器中的应用，力求成为数据中心 LPDDR DRAM 的独家供应商。
此外，公司还谈及了面向 AI 及客户端设备的 GDDR7 内存。下一代 GDDR7 的时钟频率预计将突破 40Gbps，而英伟达是目前唯一在其图形处理器中采用该技术的 GPU 制造商。
原文标题：
Micron joins forces with TSMC for HBM4E memory, targeting 2027 launch
原文媒体：digitimes asia
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