预计SK海力士将在下一代高带宽存储器（HBM）市场中大幅超越三星电子和美光，满足大多数客户需求。
据Investing.com当地时间9月28日报道，摩根大通发布报告预测：“数据中心存储器半导体市场正在出现新的趋势”，并且“繁荣期将持续数年”。
该报告特别预测，自去年以来持续上涨的DRAM价格在未来四年内可能保持强劲，直至2027年。
摩根大通表示：“前所未有的DRAM繁荣将持续下去”，并预测HBM市场将大幅增长，到2027年将占DRAM总销售额的43%。
HBM是一种高性能存储器，主要用于NVIDIA和AMD等公司的人工智能半导体。
一些人预测，SK海力士、三星电子和美光等厂商的过度产能扩张，最早可能在明年就导致供应过剩和价格下跌。
然而，摩根大通预测“2026年HBM的平均价格不会下降”，并且“整体市场增长可能从2027年开始加速”。
摩根大通预测，SK海力士将主导下一代HBM4标准市场。该机构还预测，三星电子和美光的市场份额合计将保持在40%以下。
这表明，SK海力士将在用于下一代AI半导体的HBM4市场中保持主导地位，市场份额超过60%。
摩根大通进一步预测，NVIDIA“Rubin Ultra”系列AI半导体中使用的HBM4E标准高带宽存储器将推动整体DRAM市场的增长。
预计NAND闪存也将继续保持高位运行，明年平均价格将上涨7%。
摩根大通补充道：“预计2026年至2027年期间，存储半导体公司的投资支出将以每年7-12%的速度增长”，并且“他们可能会优先投资DRAM，重点关注高盈利能力的HBM。”
也有人认为，SK海力士、三星电子和美光等韩国本土公司的股价有些高估。然而，摩根大通仍然将这些股票视为优先股。
