电子发烧友网报道（文/章鹰）9月10日，TrendForce发布最新《全球电动车逆变器市场数据》，2025 年第二季受惠纯电动车（BEV）销售成长，全球电动车牵引逆变器装机量达 766 万台，年增 19%。就功率半导体在逆变器的应用而言，第二季碳化硅（SiC）逆变器渗透率提升至17%，不仅主要装机于BEV（纯电动车），亦逐渐扩展至PHEV（插电混合式电动车）和REEV（增城式电动汽车），后两者合计装机占比近19%，全数由中国本土汽车厂贡献。
SiC器件的另外一个增长来自AI数据中心，碳化硅在数据中心供电系统中不可或缺。AI服务器单机柜功率提升至数百千瓦，对供电效率、功率密度要求严苛。SiC MOSFET因1200V以上高耐压、低损耗特性，成为电源供应单元（PSU）前端AC-DC变换核心器件。根据国际调研机构Omdia的数据显示，2024年全球功率半导体市场规模达到757亿美元，2025年有望达到815亿美元。中国是全球最大的功率半导体消费国，2025年市场规模有望达到381亿美元。
9月24-26日，PCIM Asia 2025在上海新国际博览中心举办，安森美、英飞凌、东芝、扬杰科技带来最新SiC器件和解决方案，本文进行汇总。
英飞凌：CoolSiC MOSFET新品集体亮相，赋能光伏、汽车和AI数据中心
在PCIM Asia 2025展上，全球功率半导体龙头企业英飞凌带来了CoolSiC™ MOSFET 2025年度最新产品，包括CoolSiC™ MOSFET G2 1200V和1400V单管多种封装组合以及CoolSiC™ MOSFET 碳化硅模块。
图片来自英飞凌
其中，1200V产品采用Q-DPAK TSC顶部散热封装，能提供更出色的热性能、系统效率和功率密度；新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V经过优化设计，适配1000V以上母线电压，电流承载能力显著提升，产品最低导通电阻可低至6mΩ，性能指标行业领先，适用于光储等高功率场景。
英飞凌还推出了CoolSiC™ MOSFET G2 750V。它提供车规和工规两个系列，其中Q-DPAK 顶部散热封装产品导通内阻低至4mΩ，达到行业领先水平，具有优异的抗寄生导通能力，支持单级驱动，支持最高节温200度过载运行，帮助客户实现更高的功率密度和集成度。
图：800V SiC主驱逆变器方案 图片来自英飞凌
英飞凌工作人员介绍， 800V SiC主驱逆变器系统用到了1200V的SiC MOSFET，因此可以提供高达750A的大电流能力，同时工作结温还可以达到200度。该Demo可以帮助客户快速实现对于样品引入的测试和系统验证。
图：嵌入式碳化硅方案，图片自英飞凌
另外，值得关注的是英飞凌带来了其嵌入式碳化硅方案，采用英飞凌新一代1200V G2p SiC嵌入印制电路板（PCB），可以有效降低系统杂散电感，支持SiC芯片快速地开关，提高系统效率，降低成本。工作人员介绍说，与传统设计相比，嵌入式SiC方案大幅减少了电压纹波。例如，传统设计的纹波可能高达一两百伏，限制了1200V器件的使用范围。而CoolSiC嵌入式PCB的纹波可控制在30V至50V的水平，使1200V器件能够支持高达1000V的系统电压。
围绕AI数据中心和汽车主驱逆变器，安森美推出了最新SiC方案
9月24日，PCIM Asia 2025展上，安森美带来了推动下一代AI数据中心供电的硬核Demo以及合作伙伴解决方案展示，包括12kW AI云计算电源单元（PSU）、3kW图腾柱PSU SiC和汽车主驱逆变器方案。
图：12kW AI云计算电源单元（PSU）图片来自安森美
上图展示的是12kW AI云计算电源单元（PSU），这款电源单元通过集成先进的M3S MOSFET与SiC JFET器件，具备更高的开关频率和更强的热管理能力，确保了卓越的性能，是现代AI数据中心的理想解决方案。
另外一款3kW图腾柱PSU SiC，这款产品是85-230Vac宽幅输入，稳定输出48Vdc，300×180×54mm的尺寸里藏着安森美NCP1681图腾柱PFC等技术，散热效率直接拉满。
图片来自安森美
安森美现场展示的主驱逆变器方案M3e EliteSiC™，它可实现2.1mΩ的Rsp，基于M3e EliteSiC™技术的最新功率模块，实现了超高功率密度。安森美自主研发的基于M3e EliteSiC的B2S模块具备低于4nH的杂散电感，并且支持螺丝与压接两种便捷安装方式。安森美还提供配套的隔离式栅极驱动器，核心驱动器NCV51755支持15A峰值电流，并满足ISO-26262 ASIL-D功能安全等级。
东芝和基本半导体联合展示最新功率器件方案
在2025年PCIM Asia展上，东芝与基本半导体通过联合展台，共同展示了双方在碳化硅领域深度合作的最新产品与解决方案，特别是应用为车载应用开发的高性能功率器件。
在展馆内，东芝展示的内置碳化硅芯片的HPD模块引发了观众的瞩目。这款产品采用六并联设计，具备1200V/650A高性能规格，不仅导通电阻低、散热性能优异，还有助于客户快速评估芯片性能，大幅缩短开发周期。
图片来自东芝官方微信
东芝碳化硅芯片SSC塑封模块内置4并联东芝碳化硅芯片的半桥模块，单模块尺寸为69mm×49.2mm×22mm，有助于实现逆变器系统的小型化。
写在最后
PCIM Asia 2025几乎被 SiC 新品“刷屏”，从材料、器件、封装到系统级方案，全产业链都在“卷”效率、功率密度与成本。
英飞凌和安森美等大厂新品揭示，SiC封装材料进入“铜时代”，Easy 2C、Easy HD、HybridPACK™ HD全线改用铜基板+铜线，连续工作结温175 °C，比上一代铝基板Rth降低12%。系统级“嵌入式+超薄”方案落地，超薄IPM与嵌入式PCB方案，预示SiC开始定义“机电一体化”新形态，硬件厚度与体积将被压缩到传统方案的1/3以下。
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