全球唯一
15V-1200V 全电压量产 GaN IDM 企业
2025 年 10 月 OCP Global Summit 上，英伟达正式发布 800 VDC 高压直流电源架构，揭开 “AI Factory” 愿景，标志 AI 数据中心从 “54V 时代” 迈入 “800V 时代”。
该架构实现单机柜功率从 200kW 跃升至 1MW，电流较传统架构降低 15 倍以上，铜母线用量减少 45%，端到端效率显著提升，还通过超级电容器与电池储能组合，解决 AI 负载毫秒级波动引发的电网稳定性问题，预计 2027 年随 Kyber 机架系统全面投产。
兆瓦级算力需求下，传统硅器件逼近性能极限，氮化镓（GaN）成为核心突破口。其在 1-10MHz 高频下低损耗运行，可使系统能效提升 10-13%、功率密度提升 50% 以上。而英诺赛科作为英伟达该生态中唯一中国本土芯片合作伙伴，凭借独家优势脱颖而出。
作为全球唯一实现 15V-1200V 全电压范围量产的 GaN IDM 企业，英诺赛科能提供 800V 输入至 1V GPU 输出的全链路方案，覆盖架构所有电压转换环节。其第三代器件通过 2000 小时动态 HTOL 测试，175℃高温下寿命超 20 年，满足数据中心严苛需求。相较于英飞凌、德州仪器等国际伙伴，英诺赛科是唯一具备全栈供给能力的本土企业。
此次合作已推动其股价一度飙升 60%。业内认为，800 VDC 架构将降低数据中心 TCO 达 30%，而英诺赛科凭借 “本土唯一 + 技术独家” 双重优势，有望在这场能源革命中抢占最大市场份额，成为核心赢家。
关于英诺赛科创始人骆薇薇：
英诺赛科创始人骆薇薇，新西兰梅西大学应用数学博士，曾在美国宇航局（NASA）任职 15 年。2015 年她带技术回国创业，先后在珠海、苏州设立公司，力推 8 英寸硅基氮化镓晶圆技术攻关。其带领企业成为全球首家量产该晶圆的 IDM 企业，如今市值 800 亿港元，更获英伟达生态核心合作认可，是中国第三代半导体产业领军者。
