三星内存，重大升级

三星电子为其计划于 2027 年量产的第七代高带宽内存（HBM4E）设定了超过 3 太字节 / 秒（TB/s）的目标带宽。该公司计划将每引脚速度提升至 13 吉比特 / 秒（Gbps）以上，最高可实现 3.25TB/s 的带宽，这一数值是当前第五代（HBM3E）的 2.5 倍。继英伟达要求明年投入使用的第六代 HBM4 提升带宽后，这一进展进一步加剧了下一代 HBM 的速度竞争。

10 月 14 日（当地时间），在圣何塞会议中心举办的 2025 年开放计算项目（OCP）全球峰会上，三星电子公布了其正为 2027 年研发的 HBM4E 的目标引脚速度 —— 超过 13Gbps。HBM4E 拥有 2048 个数据传输引脚，按字节换算（1 字节等于 8 比特）后，带宽可达 3.25TB/s。同时，三星电子表示，HBM4E 的能效将是当前 HBM3E（每比特 3.9 皮焦 /pJ）的两倍以上。

这是自今年 1 月在旧金山举办的 2025 年国际固态电路会议（ISSCC）以来，三星电子首次公开披露 HBM4E 的目标带宽。当时，该公司已将 HBM4E 的目标带宽较去年计划提升 25%，公布的每引脚速度为 10Gbps，总带宽为 2.5TB/s。但今年年中情况发生变化，HBM 最大采购商英伟达要求为其下一代 AI 加速器 “Vera Rubin” 所使用的 HBM4 提升带宽。

根据国际半导体标准组织（JEDEC）的规范，HBM4 的每引脚带宽为 8Gbps，总带宽为 2TB/s。但英伟达向内存制造商三星电子、SK 海力士和美光要求将每引脚速度提升至 10Gbps 以上。对此，三星电子将 HBM4 的引脚速度提升至 11Gbps，SK 海力士也成功实现了相应速度。尽管有分析称美光在带宽提升方面面临困难，但该公司近期在财报中宣布，已向 “主要客户”（即英伟达）交付了带宽为 11Gbps 的 HBM4 样品，打消了外界的担忧。

由于第六代 HBM4 在量产前就实现了高于预期的带宽，半导体行业普遍预计下一代 HBM4E 的带宽将高于初始计划。三星电子此次公布的信息不仅印证了这一预测，更重要的是，它成为三家内存制造商中首家提出超过 3TB/s 带宽目标的企业。一位业内人士表示：“在 HBM3E 领域落后于竞争对手的三星电子，从 HBM4 研发初期就瞄准了比其他公司更高的带宽。” 他还补充道：“随着 HBM4 的‘速度竞赛’接近尾声，三星正迅速推进下一代产品研发，旨在实现战略逆转。”

此外，三星电子还介绍了其首款 LPDDR6 产品的具体规格。LPDDR6 是下一代移动 DRAM，JEDEC 已于今年 7 月发布其标准。该产品计划实现每引脚 10.7Gbps 的速度，总带宽达 114.1 吉字节 / 秒（GB/s），同时能效较现有 LPDDR5X 提升 20%。

在代工业务方面，三星暗示了计划于今年年底量产的 2 纳米（nm）工艺（SF2）的完成进度。三星电子还介绍了与韩国本土 AI 芯片初创企业 Rebellions 正在进行的代工合作。Rebellions 正开发 REBEL-CPU，该产品将 ARM Neoverse v3 CPU 与其下一代芯片 REBEL-Quad 相结合。其中，REBEL-Quad 神经网络处理器（NPU）将采用三星电子的 4 纳米（SF4X）工艺生产，而新增的 CPU 则将采用 2 纳米工艺生产。

三星电子宣布，目前处于研发阶段的 REBEL-CPU “进展符合计划”，目标运行频率为 3.5-4.0 吉赫兹（GHz）。英伟达采用 Neoverse v2 架构和台积电 4 纳米工艺制造的 “Grace” CPU，最高运行速度为 3.44GHz。这意味着采用三星电子下一代 2 纳米工艺制造的芯片，有望实现更高的最高运行速度。

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