在AI点燃全球算力竞赛的时代，中国一位“前NASA科学家”带着她的团队，在最硬核的半导体战场，杀出了一条属于中国的路。她叫——骆薇薇。
她的公司——英诺赛科（Innoscience），刚刚登上英伟达的核心供应商名单，与德州仪器、英飞凌、意法半导体并肩，为英伟达全新800V高压直流电源架构提供第三代半导体芯片。
这是AI数据中心的“心脏芯片”，它的每一次脉动，都代表着AI算力的跃升。而在这张名单上，英诺赛科是唯一一家来自中国的芯片企业。
2015年，骆薇薇辞去NASA首席科学家职务，放弃在美国的高薪与地位，回国创业。她看中的是被称为“第三代半导体”的——氮化镓（GaN）。这种材料能让芯片更高效、更节能，特别适合AI时代的高功率计算与新能源需求。用氮化镓芯片，数据中心的算力密度能提升10倍以上。可那时的氮化镓技术，被欧美完全垄断。朋友劝她：“氮化镓是个坑，八九年都未必能量产。”她却说：“正因为难，才更值得做。”
别人做“轻资产设计”，她偏要做全产业链制造（IDM）。别人做6英寸晶圆，她坚持做8英寸晶圆——这意味着产量提升80%，成本下降30%，但技术难度呈指数上升。创业头几年，她几乎每天穿着工服泡在车间。买不到欧美设备，就拆旧机器改造；工程师没经验，她手把手教。最终，英诺赛科攻下两项世界级难题：低缺陷、低漏电的8英寸氮化镓外延技术、8英寸氮化镓器件制造工艺。
2017年，中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海诞生。那一天，整个行业震动。
从此，英诺赛科开始高歌猛进。2021年，其氮化镓芯片被OPPO手机率先采用，成为全球首款应用于手机内部电源开关的GaN芯片。紧接着，它与安克合作推出全球首个65W全氮化镓快充，直接引爆消费电子市场。不仅如此，英诺赛科的芯片还进入了新能源汽车、激光雷达、AI服务器等高端应用。宁德时代董事长曾毓群甚至以个人身份投资2亿，成为其重要股东。截至2023年，英诺赛科芯片出货量突破3亿颗，市场份额42.4%，稳居全球第一。
成绩越大，阻力越大。2023年，美国GaN巨头宜普向ITC起诉英诺赛科“侵权”，企图封杀其出口。但英诺赛科凭借700多项专利和完整技术链反击成功，赢下了这场“专利战”。如今，它已在硅谷、首尔、比利时等地设立分部，正在把“中国芯”推向全球。
骆薇薇常说：“我们不是追赶时差，而是在追赶时代。”她的目标，是让英诺赛科成为“第三代半导体的台积电、英伟达”。在AI、电动车、机器人全面爆发的未来十年，氮化镓的市场规模将突破千亿美元。而今天，这家成立仅十年的中国公司，已经站上了世界舞台的中心。
