罗姆倍速开发碳化硅半导体，与中企抗衡？

聚焦AR眼镜关键：SiC光波导技术研讨会

为了推动 AR 眼镜技术的发展，解决碳化硅光波导等关键技术难题，加强行业内的交流与合作，半导体在线11月7日在无锡联合举办“聚焦 AR 眼镜关键：碳化硅光波导技术研讨会”，欢迎参会、参展等合作。

扫码报名参会

日经BP消息，日本罗姆将在定位为全公司增长引擎的碳化硅（SiC）功率半导体方面，加快技术世代的升级速度。为了不输给中国企业，该公司将同时开发多个技术代际，把过去为3~4年的升级间隔缩短至2年以内。由于半导体行情恶化，2024财年（截至2025年3月）时隔12年出现最终亏损，罗姆将在等待行情复苏的同时，通过与东芝的合作寻求出路。

主管功率半导体业务的罗姆取缔役常务执行董事、功率元器件业务负责人伊野和英承认，“中国企业的开发速度非常快”。该公司于2024年公布了一项计划，将开发改为双团队体制，同时开发多代产品，将以3~4年为周期的SiC功率半导体的升级换代缩短为2年。将进一步加快这一速度，力争在不到2年的时间内实现升级换代。

首先将在2025年内使被称为第5代的最新碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）实现产品化。与第4代产品相比，在175度温度下工作时的电阻值降低了30%。通过减小导通电阻，相同功率的碳化硅MOSFET工作所需的芯片面积减小。通过SiC基板制取芯片的数量增加，可以降低成本。

技术每升级一代，导通电阻就会减少30%（出处：日经XTECH根据罗姆的资料制作）

罗姆计划从第5代开始生产口径8英寸（约200毫米）的SiC基板。这种大口径化也降低了成本。截至第4代产品，罗姆一直使用的是6英寸（150mm）SiC基板。

之后的第6代产品的生产计划从2027年启动。罗姆将同时推进第7代、第8代的开发，将技术世代的升级速度加快至2年以内。通过技术世代的升级和基板的大口径化，正面对抗中国企业的价格攻势。

目前，除了中国之外，作为SiC功率半导体的杀手级应用的纯电动汽车（EV）市场正在冷却。不过，罗姆认为需求低迷是暂时的。在调整当前的设备投资和生产计划的同时，不会放松面向复苏期的开发。伊野表示，虽然目前市场形势严峻，但“车载用对SiC设备来说仍然是应当重视的市场”。

在SiC功率半导体的用途方面，面向纯电动汽车（BEV）的牵引逆变器占7～8成。其中罗姆的SiC功率半导体按数量计算的市场份额不到20%。预计今后在插电式混合动力车（PHEV）上，SiC的应用也将增加。PHEV一直被认为与BEV相比，更换硅（Si）功率半导体的好处不大。

来源：日经BP