存储大厂：许多客户急于洽谈长单

存储大厂：许多客户急于洽谈长单图1

在全球存储器产业面临技术世代交替之际，DDR4市场正经历前所未有的结构性变化，导致供应缺口浮现，存储器大厂华邦电表示，自2025年7月以来，市场「温度」明显上升，许多客户急于洽谈较长时间的订单，显示对特定产品，特别是DDR4，抱持高度期望。

DDR4供需结构剧变：先进制程与标准限制成主因

华邦电总经理陈沛铭表示，DRAM市场需求的升温，并非仅是景气循环，而是源于结构性改变。核心原因在于国际三大DRAM制造商正积极转向先进制程，例如12奈米及以下节点。然而，12奈米、11奈米，甚至13奈米、14奈米等精细制程节点，为了弥补设计上的缺陷，都需配置所谓的错误校正电路 (ECC Circuit)。

陈沛铭强调，根据JEDEC的DDR4标准（Jteck standard），DDR4产品不允许包含ECC电路。这意味着一旦三大厂转进13奈米以下的制程，他们将无法回头生产DDR4产品。这使得DDR4的供应生产线被大幅萎缩，市场上只剩下少数厂商，目前看来仅有华邦电及南亚科等两家公司仍持续供货。

因此，尽管终端应用如PC正转向DDR5，但许多领域（如SOC相关）因DDR5存储器控制器的结构较为复杂、成本较高，且制程需用到台积电12奈米加、10奈米或7奈米等级，使得传统应用仍倾向使用成本效益较高的DDR4。所以，DDR4供应量目前「不够」，短期内缺货难以解决。此外，市场上出现DDR4价格与DDR5价格「倒挂」的现象，部分原因可能是主流供应商故意压低DDR5价格，以加速市场转向。

产能与技术双箭头推进：规划扩产、制程转进16奈米

面对DDR4的强劲需求，陈沛铭表示，华邦电正采取多重策略应对：
1.该公司已完成16奈米制程的CPR (Conditional Protection Release)，正从20奈米制程迁移至16奈米。在维持既有晶圆片数（目前高雄厂为15K片，满载约27K片）不变的情况下，转换到16奈米制程可使单片晶圆的颗粒产出增加约30%。

2.尽管制程微缩提升了产出，但产能仍不足。公司正规划增加晶圆片数。本月底将召开董事会，讨论新的投资计划。新机器的交期约需9个月至1年，预计产能扩充的效益最快可能于2026年第三季后实现。

16奈米的首批8G产品目前正在送样，预计2026年第一季末或第二季初开始小量产。由于DRAM的生产周期长（从投片到产出约需120多天），这意味着市场缺口在明年第一季仍将持续。

NOR Flash市场同步走强：密度提升驱动需求

除了DRAM，华邦电的另一大业务-NOR Flash也表现亮眼。公司是全球NOR Flash市场的领导者，应用涵盖车用、PC和网通等领域。陈沛铭指出，第三季NOR Flash价格已略有上涨，预期后续仍有机会继续调涨。需求强劲的主因是密度变大。例如，以前单一设备使用256Mbit，现在可能转为512Mbit。由于高密度产品所需的晶圆面积较大，导致同样一片晶圆片能产出的颗粒数减少，从而推升了对晶圆产能的总体需求。

从外部环境来看，地缘政治因素也为台厂带来机会。陈沛铭指出，部分中国客户因背后因素，正要求将美光（Micron）产品替换掉，转向寻找其他供应商。这种「去美光化」的需求，为台厂提供了直接的业务机会。在竞争方面，虽然中国大陆的长鑫存储（CXMT）被视为全球第四大DRAM制造商，产能据称接近第三大厂（美光），但其营收却仅有美光的5%。重要的是，CXMT亦公开表示将转向HBM和DDR5，显示其也将放弃DDR3和DDR4市场。这进一步巩固了该公司在成熟制程利基型DRAM市场的地位。

Cube预计2026年下半年显著进展

在尖端技术上，该公司正积极布局边缘运算AI (Edge AI)，特别是其Cube架构技术。该架构与HBM不同，不需复杂的Base Controller，控制器可直接整合在SOC中。公司预计Edge AI技术将在2026年下半年有显著进展，并在2027年成为主要业务。

陈沛铭进一步指出，综合DRAM和NOR Flash市场的强劲表现，该公司对2025年第四季及2026年整体表现持乐观态度。预计业绩将持续成长，获利能力也会改善。陈沛铭充满信心地表示，希望2026年有机会将营业额推升至千亿新台币，加入「千亿俱乐部」。这将使该公司成为中国台湾半导体产业中第七家达成此里程碑的公司。

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