黄仁勋站台,台积电美工厂造出首片英伟达Blackwell晶圆

全球半导体观察 2025-10-20 13:05


当地时间10月17日,英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋到访台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的半导体制造工厂,庆祝首片NVIDIA Blackwell晶圆在美国本土下线,这标志着英伟达Blackwell已实现量产。


黄仁勋站台,台积电美工厂造出首片英伟达Blackwell晶圆图2

图片来源:英伟达


在庆典现场,黄仁勋与台积电运营副总裁王永利共同在晶圆上签名,意味着英伟达最新一代AI核心芯片正式在美国本土进入量产阶段。


Blackwell是英伟达迄今为止最先进的AI芯片与超级计算平台,采用台积电4NP工艺制造,由Blackwell GPU、Grace CPU、NVLink交换机等构成,拥有2080亿个晶体管,同时配备192GB HBM3E显存并支持第五代NVLink技术(1.8TB/s双向带宽)。


据介绍,晶圆(半导体的基础材料)将经过分层、图案化、蚀刻和切割等复杂工艺,最终成型为基于NVIDIA Blackwell架构提供的超高性能、可加速AI运算的芯片


英伟达表示,未来,台积电亚利桑那工厂将生产包括2纳米、3纳米和4纳米芯片以及A16芯片在内的先进技术,这些芯片对于人工智能、电信和高性能计算等应用至关重要。


   





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