新思科技LPDDR6 IP在台积电成功流片

存储世界 2025-10-27 16:47
新思科技LPDDR6 IP在台积电成功流片图1

新思科技近期宣布,其LPDDR6 IP已在台积公司 N2P 工艺成功流片,并完成初步功能验证。这一成果不仅巩固并强化了新思科技在先进工艺节点 IP 领域的领先地位,同时也为客户提供可信赖的、经硅片验证的IP选择,可满足移动通讯、边缘 AI 及高性能计算等更高存储带宽需求的应用场景。


新思科技LPDDR6 IP在台积电成功流片图2


新思科技接口IP工程高级副总裁Dino Toffolon指出:“LPDDR6的发布,意味着高带宽、低功耗的存储接口正式迈入‘埃米级’(angstrom-scale)时代。通过与台积公司的深度合作,我们帮助客户顺利过渡至2纳米及以下工艺,让移动、边缘AI和高性能计算设备都能提前享受下一代内存带宽。”







声明:内容取材于网络,仅代表作者观点,如有内容违规问题,请联系处理。 
IP 台积电
more
台积电2nm扩产提速,五厂同步爬坡首年产出激增45%
台积电清空Arm持股
英特尔Nova Lake桌面处理器将首搭bLLC缓存,采用台积电N2工艺引关注
台积电最大客户,正式易主
1.38 万亿元!2026年半导体行业烧钱大战创新高:台积电三星领跑
英伟达Feynman GPU锁定台积电A16首发,多工艺协同应对产能瓶颈
AI芯片版图大洗牌:博通锁定至2028年台积电先进制程与HBM产能
台积电、英特尔、世界先进新动态,全球半导体产业链格局加速重塑
关于A13工艺、先进封装及3D硅堆叠技术,台积电披露新进展
台积电市值翻倍只用了16个月
Copyright © 2025 成都区角科技有限公司
蜀ICP备2025143415号-1
  
川公网安备51015602001305号