新思科技LPDDR6 IP在台积电成功流片

存储世界 2025-10-27 16:47
新思科技LPDDR6 IP在台积电成功流片图1

新思科技近期宣布,其LPDDR6 IP已在台积公司 N2P 工艺成功流片,并完成初步功能验证。这一成果不仅巩固并强化了新思科技在先进工艺节点 IP 领域的领先地位,同时也为客户提供可信赖的、经硅片验证的IP选择,可满足移动通讯、边缘 AI 及高性能计算等更高存储带宽需求的应用场景。


新思科技LPDDR6 IP在台积电成功流片图2


新思科技接口IP工程高级副总裁Dino Toffolon指出:“LPDDR6的发布,意味着高带宽、低功耗的存储接口正式迈入‘埃米级’(angstrom-scale)时代。通过与台积公司的深度合作,我们帮助客户顺利过渡至2纳米及以下工艺,让移动、边缘AI和高性能计算设备都能提前享受下一代内存带宽。”







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