电源芯片，迎来革命

随着AI算力需求暴增，资料中心电力架构正迎来十年最大升级，英伟达领军的800V高压直流（HVDC）技术，预计2027年全面导入兆瓦级AI机柜，将牵动第三代半导体代工版图重组。台积电（2330）日前宣布两年内逐步退出氮化镓（GaN）市场，其大客户纳微半导体（Navitas）急寻新来源，多方角力下，台系功率元件、电源管理芯片产业链将迎新竞争格局。

将外部工业用交流电转换为800V直流电，可使相同尺寸导线传输功率增加85％；相较于传统架构，英伟达800V HVDC，主要差异在于多一道800V直流电降压至54V直流电的程序，法人分析，该架构需使用高规的耐高压PMIC（电源管理IC），但在个别Compute Tray则沿用原先中低压PMIC即可。

未来Compute Tray中的Power IC需求将提升，如记忆体电压必须由54伏转到12伏。尽管目前为海外业者如英飞凌、MPS的天下，但台厂致新（8081）、茂达（6138）持续抢攻，从一般型伺服器入局，有望抢占相关商机。

另外，HVDC架构是英伟达与Navitas策略合作，由Navitas提供氮化镓（GaN）与碳化矽技术，然而近期台积电却表示将逐步退出GaN业务；相关业者透露，由于GaN仍有安全性的疑虑，是否应用于资料中心仍是未知数。

外界推测，由于晶圆代工业者是在矽基衬底上利用GaN外延制程（GaN on Si）制造，然而两种材料在晶体结构及热膨胀系数皆不太匹配、遇高压易被击穿。而之所以不直接使用GaN衬底，是因目前主流仅发展到6吋、然成本特别高，另一方面是7成的原材料如铝土矿或闪锌矿产能掌握在中国大陆业者手中。

半导体业界指出，台积电持续进行产能最佳化，今年以来将老厂人力调往先进封装支援，因此在部分成熟、特殊制程节点会进行取舍，使其他晶圆代工业者如力积电有机可乘。

同理，海外PMIC大厂也会根据客户需求，调整自身产品组合，使台系供应链有机会打入Tier 1客户；尽管短期未见明显业绩挹注，但只要依循正确产业方向投入研发，终将有机会大放异彩。

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