美光科技宣布计划按期发布其第六代高带宽内存HBM4。这似乎驳斥了近期关于HBM重新设计的说法。
据业内人士11月23日透露，美光首席财务官马克·墨菲(Mark Murphy)近期出席了由加拿大皇家银行资本市场(RBC Capital Markets)主办的会议，并表示：“我们明年的HBM3E和HBM4供货已全部售罄。”他还补充道：“HBM4预计将于明年第二季度开始出货。”
在9月份举行的2025财年第四季度（6月至8月）财报电话会议上，美光曾表示预计将在几个月内完成明年的供货合同，而现在看来，这一目标已经实现。
这也反驳了总部位于香港的广发证券(GF Securities)关于HBM4出货可能因产品重新设计而推迟至2027年的说法。
马克·墨菲表示：“目前还没有任何公司完成人工智能半导体系统级别的HBM4质量认证。”他补充说，该公司的HBM数据传输速度最高，每引脚可达11Gb/s，并且公司正在进行相应的评估。
美光还驳斥了外界对其HBM4基础芯片落后于竞争对手的担忧。基础芯片是HBM芯片的最底层，是AI半导体的连接点，其功能正在不断提升。SK海力士在台积电代工生产HBM4基础芯片，三星电子在三星晶圆代工生产，而美光则选择自主设计和制造。
美光首席技术官Scott DuBoer表示：“与ASIC不同，基础芯片完全是针对特定存储器设计的。截至去年，代工厂尚未做好优化准备，因此我们决定自行生产。”他补充道：“我们计划在台积电代工生产HBM4E，目前正在进行联合开发。”
美光也对HBM4充满信心。他们强调了确保在性能、能效和质量方面保持竞争优势的计划。
美光首席技术官 Dubore 解释道：“HBM4 的开发策略是尽可能地复制 HBM3E 的工艺、设计和测试流程。” 他补充道：“预计其良率将比上一代产品更快达到成熟水平，这将自然而然地带来更优的成本结构和更高的利润率。”
