【区角快讯】1月20日，美光科技宣布其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的超大规模DRAM内存晶圆厂项目已正式破土动工。该工程规划总投资高达1000亿美元，拟建设四座先进晶圆制造厂，完工后将成为全美规模最大的半导体生产基地。
据公司披露，该项目预计将为当地带来约5万个就业岗位，并定位为全球顶尖的存储器制造枢纽，重点服务于人工智能、数据中心及高性能计算等领域的长期增长需求。此基地亦构成美光在美国整体约1000亿美元扩产蓝图的核心组成部分，并已获得《芯片与科学法案》相关激励政策支持。
工厂预计在2030年前后启动首批产能，并在未来十年内分阶段提升产出水平。美光强调，此项投资将助力其实现40%的DRAM产品在美国本土制造的目标，从而增强国家半导体供应链的韧性与安全性。
值得注意的是，美国商务部长霍华德·卢特尼克于1月16日出席奠基仪式时明确表示，未在美国设厂的存储芯片制造商未来或面临高达100%的进口关税。科技媒体Wccftech分析指出，此项表态主要针对韩国的三星电子与SK海力士，同时中国台湾的南亚科技与华邦电子也可能受到波及。
在全球AI驱动内存需求激增的背景下，美光此举不仅重塑产业格局，更凸显美国以政策与资本双轮驱动重构本土半导体制造体系的战略意图。
