三星解散HBM团队，成立新的存储研发部门

三星电子去年决定解散其新成立的高带宽内存（HBM）研发团队，并将研发人员重新分配至DRAM研发部门。此举被解读为该公司认为其HBM技术竞争力已趋于稳定。鉴于该公司近期通过HBM3E（第五代）销量增长和HBM4（第六代）的顺利研发，巩固了其技术竞争力并拥有了强大的客户基础，许多人认为此举应被视为三星为专注于组织稳定而采取的举措，旨在解散此前为应对HBM技术发展初期而设立的“特别工作组”。

■ HBM研发团队助力提升竞争力

据业内人士11月27日透露，三星电子召开了DS高管说明会，宣布了上述组织架构调整。此次重组将成立一个新的存储器研发部门。该部门将统筹四个部门，包括存储器事业部下属的现有DRAM研发实验室，以及NAND闪存、解决方案和封装部门。

HBM 开发团队将在成立仅一年零四个月后并入存储器开发部门。该团队于去年七月成立。

现有开发人员将被调往 DRAM 开发实验室，此前领导 HBM 开发团队的副总裁孙英洙将领导该实验室的设计团队。副总裁黄相俊已被任命为 DS 事业部存储器开发总经理。

此次重组被视为三星电子对其 HBM 开发技术进展顺利的信心体现。HBM 开发团队成立于去年五月下旬，当时 DS 事业部负责人、副会长全英铉上任约一个月后。此前，DS 事业部将 HBM​​ 开发团队分为三个领域：标准 HBM、定制 HBM、HBM 产品工程 (PE) 和 HBM 封装。这一决定是为了应对 SK 海力士夺走 HBM 市场领导地位所带来的危机感。全副会长还决定重新设计10nm第四代（D1a）DRAM，这被认为是阻碍HBM3E量产的因素之一。

事实上，三星电子在HBM市场表现疲软，导致其今年第二季度全球DRAM市场份额（按销售额计）仅为32%，落后于SK海力士（38%），位居第二。尽管去年同期其市场份额高达42%，但仅一年时间就出现了两位数的下滑。

■客户拓展持续进行，HBM4预期提升

因此，自年中以来，在HBM研发团队的带领下，三星电子一直在迅速恢复其市场竞争力。这提升了其主流HBM3E产品的质量竞争力，并与AMD和NVIDIA等全球主要公司建立了正式合作关系。

HBM3E销量的增长也带来了性能的提升。今年第三季度，三星电子数据系统事业部（DS事业部）营收达到创纪录的33.1万亿韩元。三星电子在第三/第四季度财报电话会议上解释说，HBM3E销量增长以及双倍数据速率5（DDR5）内存的强劲需求是实现这一创纪录销售额的主要原因。

随着第六代HBM4的研发进展顺利，市场预期该公司将于明年开始全面实现增长。三星电子的目标是通过生产基于1c DRAM的HBM4（领先竞争对手一代）并提供差异化​​的性能，重夺市场领导地位。目前各项准备工作进展顺利，HBM4样品已交付给所有提出申请的客户。

市场研究公司TrendForce预测，到2026年，三星电子在全球HBM市场的份额将超过30%。市场前景也十分乐观。据F&Guide报道，证券公司预测三星电子明年第一季度销售额将达到93.1259万亿韩元，营业利润将达到17.6177万亿韩元，分别同比增长17.6%和163.5%。