美国投行：落后ASML20年，中国光刻机止步65nm，还有很长的路要走

近日，美国知名投行高盛（Goldman Sachs）发布研究报告指出，中国自主研发的国产光刻机技术仍停留在约65纳米（nm）制程，与全球先进水平存在显著差距。据分析，这一差距大致相当于20年左右的技术积累时间，主要体现在缺乏高端光刻设备制造能力这一核心领域。

光刻机是半导体制造中至关重要的设备，作用相当于“纳米级打印机”——将电路图案曝光到晶圆上，是决定芯片性能、良率和先进制程的核心瓶颈。

目前全球最先进的光刻机主要分为：深紫外光刻机（DUV）：用于成熟节点，例如65nm、28nm、7nm等；极紫外光刻机（EUV）：用于先进节点，例如5nm、3nm及更先进工艺；高数值孔径EUV（High-NA EUV）：下一代用于2nm以下节点。

全球唯一能够量产EUV设备的企业是荷兰公司 ASML，其设备兼具极高的技术复杂度和供应链集成度。单台最新机型重达百余吨，价格超过数亿美元，是世界上最昂贵的工业设备之一。

高盛报告指出，中国现阶段自主制造的光刻机稳定支持的最细制程约为65nm，相当于过去二十年国际领先技术的发展节点。反观ASML过去20多年从65nm一路迭代到现在可支持3nm及更先进工艺的EUV系统，其间研发投入累积高达数百亿美元。

EUV和High-NA EUV设备涉及极复杂的光学系统、超精密机械、超稳定光源及纳米级对位控制，需要全球数千家供应商协同，其中很多核心零部件掌握在欧美日等少数国家手中。中国光刻机公司在这些关键组件和核心子系统的能力上仍有明显不足。

美国和荷兰政府实施的出口管制政策，使得ASML最先进的EUV设备无法进入中国市场，这直接限制了中国高端芯片制造的设备来源。虽然中芯国际等企业能制造出7nm级别芯片，但很可能依赖的是ASML旧型号的DUV设备，同时使用多重曝光等技术“逼近”先进工艺。

ASML及其合作伙伴数十年持续投入研发，不仅有设备本身的创新，还形成了完整的供应链、人才梯队和制造体系。中国光刻机行业虽发展迅速，但在时间积累和生态建构层面仍需跨越式努力。

尽管高盛等机构强调差距，但中国在光刻及相关领域的进步也实实在在地存在，并值得肯定：

中国企业，如上海微电子等，在DUV光刻机研发上取得了重要进展：多款国产设备已经稳定支持90nm甚至更先进节点的曝光能力；部分浸没式光刻系统能够接近28nm水平，并实现交付和试运行；国产供应链成熟度显著提高，国内光源、光学组件国产化比例不断提升。

这些并非小型试验设备，而是在中国芯片制造产业链中开始实现量产和替代进口的实质性进展。

中国芯片制造界正在探索多种技术路径来突破传统光刻的限制，例如：使用多重曝光、多图案技术在无EUV条件下实现更先进工艺；加强芯片设计架构优化、封装创新，以减少对传统先进制程的“绝对依赖”；核心设备如刻蚀机、薄膜沉积、检测设备国产化率快速提升，整体制造生态更完整。

高盛及部分业内人士认为，中国光刻机技术落后ASML约20年，确实反映了当前在最先进制程设备领域的现实状况，这种差距既有技术积累的原因，也与全球供应链与政策环境密切相关。

但这一判断并不意味着永远无法追赶：中国光刻机产业在DUV层面已经实现重要突破，具备进入更高节点研发的基础；国家和企业都已明确将半导体核心设备自主化作为战略必争之地；未来十年内，技术积累、人才培养、供应链完善与市场规模共同推进下，中国的设备能力有望实现更多突破。

对国人来说，这并非简单的落后悲观论，而是认识到差距与努力方向的双重现实：我们既要清醒地看到挑战，也要坚定地看待中国在核心科技领域不断攻坚克难的潜力。