市场需求激增,这家存储器厂商毛利率有望首次超越台积电

全球半导体观察 2025-12-24 13:22

 

随着人工智能需求快速攀升,存储器价格大幅上涨,半导体产业的获利结构正出现变化。据《韩国经济新闻》报道,三星电子的存储器部门,预期在2025年第四季度的毛利率将超越台积电,这将是自2018年第四季度以来,存储器产业的利润表现首次超过晶圆代工厂。

 

报道指出,三星电子的毛利率预估将落在63%到67%之间,高于台积电预期的60%。此外,全球第三大存储器制造商美光,在2026会计年度第一季(9月到11月)的毛利率已达56%,并预期在第二季(12月到次年2月)将进一步升至67%,显示美光在2026年第一季度也有机会于获利表现上超越台积电。

 

报道强调,价格快速上扬是推动存储器市场扩张的主要动能。目前三大存储器制造商,已将约18%到28%的DRAM产能配置于高带宽内存(HBM)。HBM通过堆栈8到16颗DRAM芯片,有效压缩通用存储器供应量,使得标准DRAM价格出现单季涨幅超过30%的情况。

 

随着存储器毛利率即将超越晶圆代工厂,报道指出,这项转变与AI产业需求结构改变密切相关。当AI应用逐步从“训练”转向“推理”,对于高速资料储存与实时存取的需求大幅提升,必须依赖HBM等存储器,将资料持续供应给GPU进行运算。

 

即便通用存储器的效能不及HBM,市场对高效能通用存储器的需求仍快速成长。在推理初期阶段,工作负载多由GDDR7、LPDDR5X等通用DRAM处理,而HBM则主要保留给更密集的推理任务。NVIDIA在以推理为主的AI加速器中采用GDDR7,便是一项代表性案例。

 

存储器业者也计划通过开发AI导向的高效能产品,延续“存储器为核心的产业趋势。举例来说,存储器内运算(Processing-In-Memory,PIM)技术能让存储器承担部分原本由GPU执行的运算工作。报道也指出,垂直通道晶体管(VCT)DRAM与3D DRAM等新技术,通过在更小面积中储存更多资料来提升密度,预期将陆续导入市场。(文章来源:科技新报)

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