三星与SK 海力士，首次超越台积电

随着人工智能需求快速攀升，记忆体价格大幅上涨，半导体产业的获利结构正出现变化。根据《韩国经济新闻》报导，三星电子的记忆体部门，以及SK 海力士，预期在2025 年第四季的毛利率将超越台积电，这将是自2018 年第四季以来，记忆体产业的利润表现首次超过晶圆代工厂。

报导指出，三星电子与SK 海力士的毛利率，预估将落在63% 到67% 之间，高于台积电预期的60%。此外，全球第三大记忆体制造商美光，在2026 会计年度第一季（9 月到11 月）的毛利率已达56%，并预期在第二季（12 月到次年2 月）将进一步升至67%，显示美光也有机会在2026 年第一季于获利表现上超越台积电。

报导强调，价格快速上扬是推动记忆体市场扩张的主要动能。目前三大记忆体制造商，已将约18% 到28% 的DRAM 产能配置于高频宽记忆体（HBM）。 HBM 透过堆叠8 到16 颗DRAM 芯片，有效压缩通用记忆体供应量，使得标准DRAM 价格出现单季涨幅超过30% 的情况。

随着记忆体毛利率即将超越晶圆代工厂，报导指出，这项转变与AI 产业需求结构改变密切相关。当AI 应用逐步从「训练」转向「推理」，对于高速资料储存与即时存取的需求大幅提升，必须仰赖HBM 等记忆体，将资料持续供应给GPU 进行运算。

即便通用记忆体的效能不及HBM，市场对高效能通用记忆体的需求仍快速成长。在推理初期阶段，工作负载多由GDDR7、LPDDR5X 等通用DRAM 处理，而HBM 则主要保留给更密集的推理任务。 NVIDIA 在以推理为主的AI 加速器中采用GDDR7，便是一项代表性案例。

记忆体业者也计划透过开发AI 导向的高效能产品，延续「记忆体为核心」的产业趋势。举例来说，记忆体内运算（Processing-In-Memory，PIM）技术，让记忆体可承担部分原本由GPU 执行的运算工作。报导也指出，垂直通道电晶体（VCT）DRAM 与3D DRAM 等新技术，透过在更小面积中储存更多资料来提升密度，预期将陆续导入市场。

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