中国台湾地区功率芯片厂商押注AI数据中心与汽车订单，冲刺2026年增长

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AI加速器功耗持续攀升，促使云服务商重新规划数据中心内部供电方案，这一转变推动了高端功率器件的需求增长；与此同时，2025年末以来汽车电子供应链出现的不确定性，为中国台湾地区小信号器件、二极管及车规级MOSFET制造商创造了新的订单机会。

一、高压直流（HVDC）架构重塑数据中心供电格局

下一代AI服务器正加速推动供电架构的根本性变革，传统交流（AC）供电系统逐渐被高压直流（HVDC）设计取代。行业消息人士表示，这一转变能提升供电效率，减少能量转换损耗。

自2025年起，HVDC已成为新建数据中心项目的核心设计方向，预计2026年将实现更广泛应用。

该架构的工作流程分为多个阶段：电网交流电先转换为直流电后分配至服务器机架，再在主板层面降压至12伏特，最终降至GPU所需的低于1伏特电压。每个阶段均依赖MOSFET与电源管理集成电路（PMIC）的精准控制，这对元器件供应商的产品性能与可靠性提出了更高要求。

氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）器件在大功率应用场景中备受青睐，其高效能与优异的热特性使其能适配严苛的工作环境。随着云服务商与GPU厂商持续推进系统高密度、高功耗化，GaN与SiC的渗透率将持续提升，行业预计这一趋势将延续至2026年。

二、中国台湾地区供应商加码AI相关产品布局

中国台湾地区功率半导体企业正加大力度，争取在AI数据中心电源管理领域获得设计订单，核心厂商包括台湾半导体公司（Taiwan Semiconductor Company）、强茂国际（PANJIT International）、荣创科技（Eris Technology）、先进功率电子（Advanced Power Electronics）、博盛半导体（Potens Semiconductor）等。

先进功率电子已与多家电源制造商启动技术对接，计划最早于2026年推出碳化硅产品。

荣创科技通过子公司业成科技推进速度更快，已推出适用于AI供电系统的800伏特节能功率芯片，该产品线目前贡献的营收占比已超过四分之一。

博盛半导体聚焦于AI服务器维护专用的热插拔MOSFET，近期推出新一代产品，其耐受度提升近十倍，这一改进有助于增强数据中心的可维护性与系统稳定性。

获得主流云服务商认证是扩大出货规模的关键，切入ODM供应链同样重要。一旦通过认证，元器件可快速适配多个平台部署，这将推动AI相关产品从2025年起持续为企业贡献可观营收，并延续至2026年。

三、汽车采购转移创造市场机会

在AI数据中心重塑云端需求的同时，汽车市场呈现另一番态势。2025年下半年，安森美（Nexperia）引发的供应中断，给全球汽车电子供应链带来不确定性，促使车企及一级供应商重新评估供应商集中度风险。

在小信号器件、二极管等产品领域，中国台湾地区厂商与安森美存在产品线重叠，台湾半导体公司与强茂国际有望从转移订单中受益。从下单到晶圆制造、封装、测试的交付周期通常为1至4个月，这意味着订单转移的影响可能延续至2026年第二季度。

企业预估，短期内汽车转移订单带来的商业机会约为800万至1000万美元，目前首批出货已启动。

供应中断后，欧美日车企面临短期供应风险，这加速了其供应商多元化进程，以降低地缘政治影响。

客户越来越倾向于寻求长期合作关系，而非短期现货采购。疫情期间承压的供应链恢复缓慢，地缘政治压力进一步加剧了采购策略的分化。

荣创科技表示，其晶圆制造与自主封装业务均位于中国台湾地区，这一布局使其在供应链重构背景下，成为国际汽车客户稳定的长期合作伙伴。

行业对整体汽车需求仍持谨慎态度，但已出现企稳迹象。中国汽车市场的持续增长支撑了车规级MOSFET的需求，库存调整逐步缓解。行业消息人士预计2025年将成为周期底部，随着供应链恢复正常及新采购决策落地，2026年有望迎来反弹。

关于高压直流（HVDC）

英飞凌科技在这一转型中发挥关键作用，其研发的综合功率转换解决方案涵盖硅、碳化硅及氮化镓技术，支持服务器主板上的集中式功率转换，直接为AI芯片供电，提升了从电网到处理器核心全供电链路的传输效率。

行业普遍预计，未来3至5年内，HVDC将成为新建AI数据中心的主流架构。随着单机架功耗达到兆瓦级，HVDC的高功率密度与高效能特性使其成为满足这一需求的最佳选择。HVDC的普及有望带动功率电子、固态变压器、冷却系统、储能等相关领域的增长，从根本上改变数据中心供电模式。

此外，AI算力需求的增长正加速数据中心基础设施升级，众多服务商纷纷采用±400V或800V HVDC系统，以支撑超高功率GPU与ASIC服务器。英伟达即将推出的每机柜功耗高达1兆瓦的AI机架，以及行业内推动400V与800V直流规格标准化的合作项目，均凸显了HVDC作为未来供电核心的地位。不过，高压传输需要重新评估连接器与电缆的性能，以确保在更高电负荷下的可靠性与耐用性。

技术补充介绍

1.HVDC架构核心技术优势：与传统交流供电相比，HVDC架构减少了“AC-DC-AC-DC”的多次转换环节，能量损耗降低10%-15%，这对单机架功耗达兆瓦级的AI数据中心至关重要；同时，直流供电避免了交流的相位差问题，电压稳定性更高，能更好适配GPU、ASIC等高性能芯片的瞬时大电流需求，提升系统运行稳定性。

2.车规级功率器件的核心要求：车规级MOSFET、二极管等器件需满足ISO 26262功能安全标准（部分场景需达ASIL-D等级），具备-40℃~150℃的宽温工作范围、超过10年的使用寿命及抗振动、抗电磁干扰能力；中国台湾地区厂商凭借成熟的封装工艺（如车规级功率封装）与稳定的产能，在小信号器件、中低压车规MOSFET领域形成竞争优势。

3.GaN/SiC在数据中心与汽车领域的应用差异：在AI数据中心，GaN因高频、低导通损耗特性，更适用于中低压（400V以下）电源模块；SiC则凭借高压耐受（800V及以上）、高温稳定性，主导高压HVDC转换与充电桩场景；在汽车领域，SiC主要用于新能源汽车的主逆变器、OBC（车载充电机），GaN则逐步渗透至车载DC-DC转换器、小功率辅助电源，两者均能降低整车功耗5%-8%。

4.中国台湾地区厂商竞争壁垒与挑战：优势在于供应链协同（晶圆制造+封装测试一体化）、响应速度快（针对客户需求快速定制化）、成本控制能力强；但面临的挑战包括：高端SiC/GaN外延片依赖进口，在800V以上高压功率器件领域的技术积累不及国际巨头，需通过与云服务商、车企深度合作获取场景化验证机会，加速技术迭代。