近日,荷兰半导体设备龙头ASML的前首席执行官彼得·温宁克(Peter Wennink)在多次公开访谈中对中国光刻机的进展进行了相对冷静的评价:这在他的预期之内,但与ASML当前的工业化水平相比,中国原型机仍更像是二十年前的ASML机器,这既是肯定也是现实的提醒。 中国科研团队自主集成了光源、掩模台、晶圆台、光学系统与控制软件,实现了全光刻系统的联调和初步曝光测试。据路透社等媒体报道,该原型机已能够点亮极紫外光并运行,但尚未将芯片产出或进入客户试用阶段。这样的原型机填补了中国在最核心光刻设备上的空白,是中国集成系统工程能力的一次重要验证。 但理解这一进展最关键的一点是区分实验性原型机、工程验证机与工业量产机三者之间的差异。原型机可以证明理论与基本技术路径可行,但离工业化稳定运行、长期高可靠性、商业客户使用还有很大距离。ASML自身也经历了近二十年的艰苦创新,从第一台能“点亮光源”的原型机,到真正进入量产客户的EUV光刻系统,中间经历了长期的技术演进、生态积累与服务体系建立。 可以说,中国原型机实现了“从无到有”的关键一步,但距离能够在客户工厂连续运行、支撑大规模芯片制造,还有明显差距。 EUV光刻机是目前最复杂的工业设备之一。其核心技术包括高功率稳定的13.5 nm极紫外光源、超高精度光学系统、大规模协作的机械控制系统,以及配套的监测与优化软件。在光源方面,ASML最新商用机器的输出功率已超过千瓦级,这使得每小时可处理超过200片晶圆。而中国目前原型机的光源功率仍远低于这一水平,意味着曝光速度、产能和稳定性都无法与商用系统相比。 光学系统则代表了EUV难度的另一端。ASML与德国蔡司共同制造的多镜面反射系统,每一个镜片的制造精度都达到原子级别的控制,这是全球最尖端的制造技术之一。中国虽然在国产多层膜反射镜等方面取得突破,但在面型精度、镀膜均匀性和抗辐照能力方面仍有差距。 更重要的是,EUV光刻机的价值不只是单台设备,它是一个高度复杂的系统工程。超过10万个零部件之间的精密协同、24小时连续运行的可靠性、海量现场服务支撑、客户工艺流程的深度适配——这些不仅仅是技术难题,更是几十年产业积累的“软实力”。ASML目前在全球拥有庞大的服务网络和经验丰富的工程师团队,这些都是构建工业级可靠性的关键因素。 对于中国的EUV技术进展,国际业界也给出较为一致的判断:这一成果是重要的技术突破,但与当前先进工业化应用阶段还存在明显距离。ASML现任CEO也公开表示,中国在芯片制造设备领域整体落后10到15年,而中国目前官方层面的芯片目标是未来几年内实现更多自主设备和材料的突破。 国内外报道还显示,中国EUV原型机的研发融合了国内科研机构、高校、企业的力量,其中一些团队采取了固态激光等不同于传统路径的方案探索,以期在光源等关键部件上实现突破。这种“多路并进”的研发策略一方面是应对长期技术封锁的务实选择,另一方面也有助于拓展未来不同技术路线的可能性。 不过需要强调的是,当前原型机的测试还主要是在实验环境下完成,尚未进入商业晶圆厂的量产流程。距离实现可商用芯片生产,还有光刻胶、掩模、EDA工具等配套生态需要逐步完善。 面对技术差距,中国的策略并不是单点突破“速胜”,而是分阶段、分路线推进。当前阶段侧重于实现原型机的系统验证和工程能力积累;中期则聚焦可交付客户的准量产系统;长期目标是构建完整的自主光刻设备与生态体系。官方已将高端光刻机作为国家战略科技攻关方向之一,并通过政策扶持、人才引进等方式推动产业集群发展。这一战略体现了“高度重视核心技术、注重长期积累”的务实态度。 需要注意的是,中国在DUV多重曝光、先进掩模技术、自对准双重成像(SSA)、下一代高数值孔径(High-NA EUV)等领域也在布局,这意味着中国不会单纯依赖某一项技术,而是在整个芯片制造链条上寻求突破。 此外,中国还需要完善与EUV相关的材料、软件和工艺生态。这包括国产光刻胶的适配、掩模板检测与修复技术、EDA工具对新型光刻特征的支持等,每一环都关系到设备真正进入产线并稳定量产。 中国EUV光刻机原型机的出现,是一个具有象征意义的里程碑,证明了中国科研团队在极高复杂系统集成、极端工艺控制等方面具备了实质性能力。这意味着,中国在全球光刻技术领域不再只是“看着别人的机器”,而是真正迈出了从0到1的关键一步。 但从技术成熟度、工业化可靠性、生态支撑体系来看,中国与ASML当前商用级EUV系统之间仍存在明显差距。正如业内所言:“原型机不是终点,而是冲锋的号角”——它标志着中国开始掌握规则,但真正的工业应用还需要更长时间的积累与迭代。 历史上每一次伟大的工业突破,都源于一个被质疑的原型。从最初的蒸汽机到现代半导体产业,创新从来不是一蹴而就。中国在EUV光刻领域的进展,确实值得肯定;承认差距,同样是构建未来自主可控产业生态的必要态度。只要方向正确、脚步不停,未来可期。